ROHM Product Detail

BST31T1P4K01-VC (新产品)

HSDIP20, 750V, 31A, 3相桥，车载/工业级SiC功率模块
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BST31T1P4K01-VC
(新产品)

BST31T1P4K01-VC (新产品)
HSDIP20, 750V, 31A, 3相桥，车载/工业级SiC功率模块

BST31T1P4K01是一款高性能750V SiC模压模块，采用6合1结构，理想适用于车载充电器（OBC）的PFC和LLC电路。HSDIP20采用绝缘基板，具有更佳的散热特性。即使在高功率条件下，这也有助于保持芯片温度稳定，从而在紧凑的外形尺寸下实现高电流处理。与顶面冷却分立器件相比，它提供更3倍的功率密度，是其他DIP模块的1.4倍。在PFC应用中，它可将安装面积减少约52%，极大有助于OBC等应用中功率转换电路的小型化。通过将必要的功率转换电路集成到模块中，它减少了设计工作量，并使得OBC和其他应用中的功率转换电路实现小型化。作为新一代汽车系统的关键解决方案，它支持高输出、紧凑型电动动力总成的开发。

应用示例

  • 汽车系统：车载充电器、电动压缩机等。
  • 工业设备：电动汽车充电站、V2X系统、交流伺服、服务器电源、光伏逆变器、电能调节器等。

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主要规格

 
型号 | BST31T1P4K01-VC
Status | 推荐品
封装 | HSDIP20
包装形态 | Corrugated Cardboard
包装数量 | 180
最小独立包装数量 | 60
RoHS | Yes

特性：

Drain-source Voltage[V]

750

Drain Current[A]

31

Total Power Dissipation[W]

152

Junction Temperature (Max.) [℃]

175

Storage Temperature (Min.) [℃]

-40

Storage Temperature (Max.) [℃]

125

Package

3-Phase-Bridge

Package Size [mm]

38.0x31.3 (t=3.5)

Common Standard

AQG 324 (Automotive Grade)

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特点：

  • 采用第4代SiC-MOSFET的HSDIP20封装
  • VDSS = 750V
  • 低RDS(on)
  • 可实现高速开关
  • 低开关损耗
  • Tvjmax = 175°C
  • 紧凑设计
  • 具有高导热隔离
  • 集成NTC温度传感器
  • 4.2kV AC 1s绝缘

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