ROHM Product Detail

BST38T2P4K01-VC (新产品)

HSDIP20, 1200V, 38A, 三相桥式, 车载用/工业用SiC功率模块
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BST38T2P4K01-VC
(新产品)

BST38T2P4K01-VC (新产品)
HSDIP20, 1200V, 38A, 三相桥式, 车载用/工业用SiC功率模块

BST38T2P4K01是一款高性能1200V SiC模塑模块，采用六合一结构，非常适用于车载充电器 (OBC) 中的PFC和LLC电路。HSDIP20采用具有优良散热性能的绝缘衬底，有助于在高功率条件下保持芯片温度稳定，从而可在紧凑的外形尺寸下处理大电流。与顶侧冷却分立器件相比，它的功率密度提高了3倍，是其他DIP模块的1.4倍。在PFC应用中，它可将安装面积减少约52%，大大有助于OBC等应用中功率转换电路的小型化。由于模块中内置了必要的功率转换电路，它减少了设计工作量，并实现了OBC及其他应用中功率转换电路的小型化。作为下一代车载系统的关键解决方案，它支持开发高输出、紧凑型电动动力传动系统。

应用示例

  • 车载系统：车载充电器、电动压缩机等。
  • 工业设备：EV充电站、V2X系统、AC伺服电机、服务器电源、光伏逆变器、电源调节器等。

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主要规格

 
型号 | BST38T2P4K01-VC
Status | 推荐品
封装 | HSDIP20
包装形态 | Corrugated Cardboard
包装数量 | 180
最小独立包装数量 | 60
RoHS | Yes

特性：

Drain-source Voltage[V]

1200

Drain Current[A]

38

Total Power Dissipation[W]

227

Junction Temperature (Max.) [℃]

175

Storage Temperature (Min.) [℃]

-40

Storage Temperature (Max.) [℃]

125

Package

3-Phase-Bridge

Package Size [mm]

38.0x31.3 (t=3.5)

Common Standard

AQG 324 (Automotive Grade)

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特点：

  • 采用第4代SiC-MOSFET的HSDIP20封装
  • VDSS = 1200V
  • 更低RDS(on)
  • 可高速开关
  • 更低开关损耗
  • Tvjmax = 175°C
  • 紧凑型设计
  • 具有高导热绝缘
  • 集成NTC温度传感器
  • 4.2kV AC 1s绝缘

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