BST70B2P4K01-VC (新产品)
HSDIP20, 1200V, 70A, 全桥，车载用/工业设备市场 SiC（碳化硅）功率模块
BST70B2P4K01-VC (新产品)
HSDIP20, 1200V, 70A, 全桥，车载用/工业设备市场 SiC（碳化硅）功率模块
BST70B2P4K01是一款高性能的SiC（碳化硅）成型模块，额定值为1200V，采用4合1结构设计，非常适用于车载充电器（OBC）中的PFC和LLC电路。HSDIP20采用具有优良散热性能的绝缘基板。即使在更大功率条件下，这也有助于保持稳定的芯片温度，从而在更紧凑的外形尺寸内实现更高电流处理能力。与顶部冷却的分立器件相比，它的功率密度可提升3倍以上，是其他DIP模块的1.4倍。在PFC应用中，它可以将安装面积减少约52%，大大有助于OBC等应用中电源转换电路的小型化。通过在模块中内置更必要的电源转换电路，它减少了设计工作量，并实现了OBC及其他应用中电源转换电路的小型化。作为下一代车载系统的关键解决方案，它支持开发高输出、更紧凑的电动动力总成。应用示例
主要规格
特性：
Drain-source Voltage[V]
1200
Drain Current[A]
70
Total Power Dissipation[W]
385
Junction Temperature (Max.) [℃]
175
Storage Temperature (Min.) [℃]
-40
Storage Temperature (Max.) [℃]
125
Package
Full-Bridge
Package Size [mm]
38.0x31.3 (t=3.5)
Common Standard
AQG 324 (Automotive Grade)
特点：
- 采用第4代SiC-MOSFET的HSDIP20封装
- VDSS = 1200V
- 低RDS(on)
- 可实现高速开关
- 开关损耗更低
- Tvjmax = 175°C
- 更紧凑的设计
- 具有高导热性隔离
- 集成NTC温度传感器
- 4.2kV AC 1s绝缘
Videos & Catalogs
