S6604
1200V, 20A, SiC（碳化硅）SBD裸芯片
S6604
S6604
1200V, 20A, SiC（碳化硅）SBD裸芯片
S6604是SiC（碳化硅）外延平面型肖特基势垒二极管。降低开关损耗，实现高速开关操作。
如需购买裸芯片，请联系我们的销售办事处了解具体规格。目前，我们没有在互联网分销商处销售裸芯片。
Data Sheet
* 本产品是标准级的产品。
本产品不建议使用于车载设备。
本产品不建议使用于车载设备。
主要规格
特性：
Reverse Voltage[V]
1200
Continuous Forward Current[A]
20
Generation
3rd Gen
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
特点：
- 低正向电压
- 可忽略的恢复时间/电流
- 不受温度影响的开关特性
- 高浪涌电流承受能力
