SCS220AJ_技术资料

可降低开关损耗,可高速开关。 4pin封装。

* 本产品是标准级的产品。本产品不建议使用于车载设备。

White Paper

Cutting-Edge Web Simulation Tool “ROHM Solution Simulator” Capable of Complete Circuit Verification of Power Devices and Driver ICs
 
In recent years, the advancing digitization of applications is expanding the number and role of electronic circuits, resulting in a considerable amount of man-hours spent on circuit design, from component selection during application development to board design and evaluation. This document discribes the solution for solving customer issues for each design flow with ROHM's support and tools.

Application Note

Part Explanation
 
For SiC Schottky Barrier Diodes
开关电路的功率损失计算
 
确认电源电路的设计没有超过各设备所容许的损失是很重要的。怠慢这个的话器件可能会导致热破坏。该应用笔记中记载了使用SiC MOSFET 的开关电路中开关动作时SiC MOSFET 产生的功率损失的计算方法。
热仿真用双热阻模型
 
本笔记对热仿真所使用的热模型之中,最简单的双热阻模型予以说明。
Notes for Temperature Measurement Using Thermocouples
 
This application note explains cautions regarding the temperature measurement. The content of this application note is generally applicable, irrespective of the types of semiconductor devices.
热模型是什么(SiC功率器件篇)
 
在SPICE模型中,有一类模型是用来进行热仿真的热模型。使用热模型进行热仿真是为了在热设计的初期阶段制定粗略的评估而实施的。本应用笔记对热模型进行说明。
Notes for Temperature Measurement Using Forward Voltage of PN Junction
 
This application note explains cautions regarding the temperature measurement Using Forward Voltage of PN Junction. The content of this application note is generally applicable, irrespective of the types of semiconductor devices.
热模型使用方法(SiC功率器件篇)
 
本应用笔记就热模型设计的相关方法进行说明。
开关波形的监测方法
 
本应用笔记对开关波形的正确监测方法予以说明。
SiC功率器件・模块 应用笔记
 
本应用笔记详细记载了关于罗姆的SiC 器件的特性及使用方法。从分立器件到模块,面向各种应用,SiC器件的优势和使用上的注意点,从初次接触SiC器件到熟知产品的各位,都可以得到应用和帮助
热阻RthJC 的测量方法和使用方法
 
本应用笔记介绍了从分立半导体器件的结到外壳的热阻测量方法和使用方法。
功率测量中探针校正的重要性 倾斜校正篇
 
即使定期校正用于测试的器材,如果对测试环境不及时校正的话,也会得到错误的结果。这个应用手册说明了在功率测量环境中探针校正的重要性
旁路电容器的阻抗特性
 
本应用笔记将聚焦电容器的阻抗特性,说明选择旁路电容器时的注意事项。
使用热电偶测量封装背面温度时的注意点
 
本应用手册记载了为了计算半导体芯片在实际动作时的结温,使用热电偶测量封装背面温度时的注意点。