BM3G005MUV-LB
Nano Cap™, EcoGaN™, 650V 50mΩ 2MHz, GaN HEMT Power Stage IC
BM3G005MUV-LB
Nano Cap™, EcoGaN™, 650V 50mΩ 2MHz, GaN HEMT Power Stage IC
该产品是工业设备市场中优良的产品。这是适用于此类应用的更好产品。BM3G005MUV-LB可为所有需要高功率密度和高效率的电子系统提供更优的解决方案。通过将650V增强型GaN HEMT和硅驱动器集成到ROHM的原始封装中，与传统的分立解决方案相比，PCB和引线键合引起的寄生电感显着降低。因此，可以实现高达150V/ns的高开关转换速率。另一方面，可调节的栅极驱动强度有助于降低EMI，各种保护及其他附加功能可提供更优化的成本和PCB尺寸。此IC旨在适应现有的主要控制器，因此它也可以用于替代传统的离散式电源开关，例如超结MOSFET。
主要规格
特性：
Vin (Min.)[V]
-0.6
Vin (Max.)[V]
30
Operating Current@500 kHz(Typ) [mA]
2.2
Quiescent Current (Typ) [μA]
180
Switching Frequency(Max)[MHz]
2
Turn-on Delay Time(Typ)[ns]
14
Turn-off Delay Time(Typ)[ns]
19
Temperature (Min.)[°C]
-40
Temperature (Max.)[°C]
105
ON State Resistance(Typ)[mΩ]
50
Package Size [mm]
8.0x8.0 (t=1.0)
Application
Networking, Server
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Min.)[°C]
150
特点：
- Nano Cap™ 集成了5V LDO
- VDD引脚电压工作范围广
- IN引脚电压工作范围广
- VDD静态和工作电流低
- 低传播延迟
- 高dv/dt抗扰度
- 栅极驱动强度可调
- 电源正常信号输出
- VDD UVLO保护
- 热关断保护
参考设计 / 应用评估套件
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- Evaluation Board - BM3G005MUV-EVK-003
The BM3G005MUV-EVK-003 evaluation board consists of the BM3G005MUV (GaN FET (650 V 50 mΩ), integrated driver and protection circuit) and A board on which peripheral components are mounted. This IC is designed to adapt major exist controllers, so that it also can be used to replace the traditional discrete power switches, such as super junction MOSFET
Videos & Catalogs
