GNP2025TD-Z (新产品)
EcoGaN™, 650V 59.8A TOLL-8N, E-mode Gallium-Nitride(GaN) HEMT
GNP2025TD-Z (新产品)
EcoGaN™, 650V 59.8A TOLL-8N, E-mode Gallium-Nitride(GaN) HEMT
GNP2025TD-Z是一款650V GaN HEMT,拥有行业内更优的FOM (Ron*Ciss、Ron*Coss)。该产品属于EcoGaN™系列,通过更充分地利用低导通电阻和高速开关特性,有助于提高功率转换效率和缩小尺寸。内置ESD保护功能,以实现高可靠性设计。此外,通用性较强的封装提供了更优的散热性,并易于安装。 正在寻找可激发GaN HEMT性能的栅极驱动器? → GaN用栅极驱动器
主要规格
特性:
VDS [V]
650
IDS [A]
59.7
VGS Rating [V]
6.5
RDS(on) [mΩ]
25
Qg [nC]
13.2
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
150
Dimensions [mm]
11.68x9.9 (t=2.4)
特点:
- 650V E-mode GaN HEMT
- 25mΩ 电阻
- 13.2nC 栅极电荷
