最终销售
RGCL60TK60D
低VCE(sat) 型, 600V 30A, 内置快速反向恢复二极管, TO-3PFM, 沟槽式场截止型 IGBT
RGCL60TK60D
最终销售
RGCL60TK60D
低VCE(sat) 型, 600V 30A, 内置快速反向恢复二极管, TO-3PFM, 沟槽式场截止型 IGBT
指正在申请中止制造的产品。
主要规格
特性：
Series
CL: Low VCE(sat)
VCES [V]
600
IC(100°C)[A]
18
VCE(sat) (Typ.) [V]
1.4
tf(Typ.) [ns]
178
Built-in Diode
FRD
Pd [W]
54
BVCES (Min.)[V]
600
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
21.0x16.0 (t=5.2)
特点：
- Low Collector-Emitter Saturation Voltage
- Soft Switching
- Built in Very Fast & Soft Recovery FRD (RFN-Series)
- Pb-free Lead Plating; RoHS Compliant
