RGT16NS65D(TO-262)
短路耐量 5µs, 650V 8A,内置快速反向恢复二极管, TO-262, 沟槽式场截止型 IGBT

罗姆的IGBT(绝缘栅极型双极晶体管)产品为高电压、大电流应用的高效化和节能化作贡献。

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* 本产品是标准级的产品。
本产品不建议使用于车载设备。

主要规格

 
型号 | RGT16NS65DGC9
Status | 推荐品
封装 | TO-262
包装数量 | 1000
最小独立包装数量 | 50
包装形态 | Tube
RoHS | Yes

特性:

Series

T: For inverter (tsc 5µs)

VCES [V]

650

IC(100°C)[A]

8

VCE(sat) (Typ.) [V]

1.65

tf(Typ.) [ns]

95

tsc(Min.) [us]

5

Built-in Diode

FRD

Pd [W]

94

BVCES (Min.)[V]

650

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

175

特点:

1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage
2) Low Switching Loss
3) Short Circuit Withstand Time 5us
4) Built in Very Fast & Soft Recovery FRD (RFN - Series)
5) Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant

设计资源

 

技术记事

Schematic Design & Verification

  • 开关电路的功率损失计算
  • 开关波形的监测方法
  • 功率测量中探针校正的重要性 倾斜校正篇
  • 旁路电容器的阻抗特性

Thermal Design

  • 使用瞬态热阻抗计算结温的方法
  • Notes for Temperature Measurement Using Thermocouples
  • 热仿真用双热阻模型
  • Notes for Temperature Measurement Using Forward Voltage of PN Junction
  • What is a Thermal Model? (IGBT)
  • 热阻RthJC 的测量方法和使用方法
  • 使用热电偶测量封装背面温度时的注意点

设计模型

Models

  • RGT16NS65D(TO-262) SPICE Model
  • RGT16NS65D(TO-262) Thermal Model (lib)
  • How to Create Symbols for PSpice Models

封装和质量数据

Package Information

  • Package Dimensions
  • Moisture Sensitivity Level
  • Anti-Whisker formation

Environmental Data

  • About Flammability of Materials
  • Compliance of the ELV directive
  • Report of SVHC under REACH Regulation

Export Information

  • About Export Administration Regulations (EAR)