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650V 8A Field Stop Trench IGBT_RGT16NS65D(TO-262)

罗姆的IGBT(绝缘栅极型双极晶体管)产品为高电压、大电流应用的高效化和节能化作贡献。

* 本产品是标准级的产品。本产品不建议使用的车载设备。
型号 | RGT16NS65DGC9
Status | 供应中
封装 | TO-262
包装数量 | 1000
最小独立包装数量 | 50
包装形态 | Tube
RoHS | Yes

特性:

Series

T: For inverter (tsc 5µs)

VCES [V]

650

IC(100°C)[A]

8

VCE(sat) (Typ.) [V]

1.65

tf(Typ.) [ns]

95

tsc(Min.) [us]

5

Built-in Diode

FRD

Pd [W]

94

BVCES (Min.)[V]

650

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

175

特点:

1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage
2) Low Switching Loss
3) Short Circuit Withstand Time 5us
4) Built in Very Fast & Soft Recovery FRD (RFN - Series)
5) Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant