650V 10A 场截止沟槽型IGBT_RGT20NL65 (新产品)

RGT20NL65是一款具有低VCE(sat)和低开关损耗的IGBT。适用于逆变器、UPS、功率调节器、焊接机等应用。

* 本产品是标准级的产品。本产品不建议使用于车载设备。
型号 | RGT20NL65GTL
Status | 推荐品
封装 | LPDL
包装数量 | 1000
最小独立包装数量 | 1000
包装形态 | Taping
RoHS | Yes

特性:

Series

T: For inverter (tsc 5µs)

VCES [V]

650

IC(100°C)[A]

10

VCE(sat) (Typ.) [V]

1.65

tf(Typ.) [ns]

104

tsc(Min.) [us]

5

Pd [W]

106

BVCES (Min.)[V]

650

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

175

特点:

  • Low Collector - Emitter Saturation Voltage
  • Low Switching Loss
  • Short Circuit Withstand Time 5μs
  • Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant