新设计非推荐
RGTH00TK65D
高速开关型, 650V 50A, 内置快速反向恢复二极管, TO-3PFM,沟槽式场截止型 IGBT
RGTH00TK65D
新设计非推荐
RGTH00TK65D
高速开关型, 650V 50A, 内置快速反向恢复二极管, TO-3PFM,沟槽式场截止型 IGBT
为支持现有客户而生产的产品。不对新设计出售此产品。
主要规格
特性：
Series
TH: High speed SW
VCES [V]
650
IC(100°C)[A]
21
VCE(sat) (Typ.) [V]
1.6
tf(Typ.) [ns]
50
Built-in Diode
FRD
Pd [W]
72
BVCES (Min.)[V]
650
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
21.0x16.0 (t=5.2)
特点：
- Low Collector-Emitter Saturation Voltage
- High Speed Switching
- Low Switching Loss & Soft Switching
- Built in Very Fast & Soft Recovery FRD (RFN-Series)
- Pb-free Lead Plating; RoHS Compliant
