RQ3G120BJFRA
P沟道 -40V -12A, HSMT8AG, 车载用功率MOSFET
RQ3G120BJFRA
P沟道 -40V -12A, HSMT8AG, 车载用功率MOSFET
RQ3G120BJFRA是一款符合AEC-Q101标准的车载级MOSFET。更适用于ADAS、信息娱乐、照明和车身控制。
主要规格
特性：
Package Code
HSMT8AG
Number of terminal
8
Polarity
Pch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
-40
Drain Current ID[A]
-12
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.047
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.038
RDS(on)[Ω] VGS=Drive(Typ)
0.047
Total gate charge Qg[nC]
7.8
Power Dissipation (PD)[W]
40
Drive Voltage[V]
-4.5
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
3.3x3.3 (t=0.9)
Common Standard
AEC-Q101 (Automotive Grade)
特点：
- 小巧高功率封装，安装面积可减少高达64%
- 通过专有端子和电镀处理实现高安装可靠性
- 符合AEC-Q101标准
