EM6K33
1.2V驱动 双N沟道MOSFET
EM6K33
1.2V驱动 双N沟道MOSFET
复合型MOSFET(N+N)使用微处理技术制成低导通电阻器件，可用于更广阔的应用范围。产品阵容更广阔，涵盖紧凑型、大功率型和复合型，可满足市场中各种需求。
主要规格
特性：
Package Code
SOT-563
JEITA Package
SC-107C
Number of terminal
6
Polarity
N+N
Drain-Source Voltage VDSS[V]
50
Drain Current ID[A]
0.2
RDS(on)[Ω] VGS=1.2V(Typ)
2.4
RDS(on)[Ω] VGS=1.5V(Typ)
2
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ)
1.7
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
1.6
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
2.4
Power Dissipation (PD)[W]
0.15
Drive Voltage[V]
1.2
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
1.6x1.6 (t=0.55)
特点：
· 低电压(1.2V)驱动型· 双N沟道小信号MOSFET
· 小型表面贴装封装
· 不含铅/符合RoHS标准
