HP8KE7 (新产品)
100V 24A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET
HP8KE7 (新产品)
100V 24A, Dual Nch+Nch, HSOP8, Power MOSFET
HP8KE7 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
本产品不建议使用于车载设备。
主要规格
特性：
Package Code
HSOP8D (5x6)
Number of terminal
8
Polarity
Nch+Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
100
Drain Current ID[A]
24
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)
0.0186
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)
0.0151
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)
0.0186
Total gate charge Qg[nC]
10.5
Power Dissipation (PD)[W]
26
Drive Voltage[V]
4.5
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
150
Package Size [mm]
4.9x6 (t=1.1)
特点：
- Low on - resistance
- Small Surface Mount Package (HSOP8)
- Pb-free lead plating ; RoHS compliant
- Halogen Free
产品概要
背景
近年来，在通信基站和工业设备领域，为了降低电流值、提高效率，以往的12V和24V系统逐渐被转换为48V系统，电源电压呈提高趋势。此外，用来冷却这些设备的风扇电机也使用的是48V系统电源，考虑到电压波动，起到开关作用的MOSFET需要具备100V的耐压能力。而另一方面，提高耐压意味着与其存在权衡关系的导通电阻也会提高，效率会变差，因此，如何同时兼顾更高耐压和更低导通电阻，是一个很大的挑战。风扇电机通常会使用多个MOSFET进行驱动，为了节省空间，对于将两枚芯片一体化封装的双MOSFET的需求增加。
概要
通过采用ROHM新工艺和背面散热封装，实现了业界超低的导通电阻（Ron）。另外，通过将两枚芯片一体化封装，可以减少安装面积，有助于应用设备进一步节省空间。
应用示例
・通信基站用风扇电机
・FA设备等工业设备用风扇电机
・数据中心等服务器用风扇电机
