HP8ME5
100V 8.5A, Dual Nch+Pch, HSOP8, Power MOSFET

HP8ME5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.

Data Sheet 购买
* 本产品是标准级的产品。
本产品不建议使用于车载设备。

主要规格

 
型号 | HP8ME5TB1
Status | 推荐品
封装 | HSOP8 (Symmetry Dual)
包装数量 | 2500
最小独立包装数量 | 2500
包装形态 | Taping
RoHS | Yes

特性:

Package Code

HSOP8D (5x6)

Number of terminal

8

Polarity

Nch+Pch

Drain-Source Voltage VDSS[V]

100

Drain Current ID[A]

8.5

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)

0.2

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)

0.148

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.2

Total gate charge Qg[nC]

1.7

Power Dissipation (PD)[W]

20

Drive Voltage[V]

4.5

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

Package Size [mm]

4.9x6 (t=1.1)

Find Similar

特点:

  • Low on - resistance
  • Small Surface Mount Package (HSOP8)
  • Pb-free lead plating ; RoHS compliant
  • Halogen Free

产品概要

 

背景

近年来,在通信基站和工业设备领域,为了降低电流值、提高效率,以往的12V和24V系统逐渐被转换为48V系统,电源电压呈提高趋势。此外,用来冷却这些设备的风扇电机也使用的是48V系统电源,考虑到电压波动,起到开关作用的MOSFET需要具备100V的耐压能力。而另一方面,提高耐压意味着与其存在权衡关系的导通电阻也会提高,效率会变差,因此,如何同时兼顾更高耐压和更低导通电阻,是一个很大的挑战。风扇电机通常会使用多个MOSFET进行驱动,为了节省空间,对于将两枚芯片一体化封装的双MOSFET的需求增加。

概要

通过采用ROHM新工艺和背面散热封装,实现了业界超低的导通电阻(Ron)。另外,通过将两枚芯片一体化封装,可以减少安装面积,有助于应用设备进一步节省空间。

应用示例

・通信基站用风扇电机
・FA设备等工业设备用风扇电机
・数据中心等服务器用风扇电机

X

Most Viewed