HT8KE6H
100V 12.5A，双N沟道+N沟道，HSMT8，功率MOSFET
HT8KE6H
100V 12.5A，双N沟道+N沟道，HSMT8，功率MOSFET
HT8KE6H是一款低导通电阻、高功率小模塑封装的功率MOSFET，适用于开关和电机驱动应用。
主要规格
特性：
Package Code
HSMT8
Applications
Switching
Number of terminal
8
Polarity
N+N
Drain-Source Voltage VDSS[V]
100
Drain Current ID[A]
12.5
RDS(on)[Ω] VGS=6V(Typ)
0.059
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.047
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.059
Total gate charge Qg[nC]
4.2
Power Dissipation (PD)[W]
14
Drive Voltage[V]
6
trr (Typ.)[ns]
46
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
3.3x3.3 (t=0.9)
特点：
- 低导通电阻
- 高功率小型模塑封装 (HSMT8)
- 无铅电镀；符合RoHS指令
- 无卤素
- Rg和UIS测试
