QS8M31
60V Nch+Pch MOSFET
QS8M31
QS8M31
60V Nch+Pch MOSFET
电界效果晶体管MOSFET。复合各一颗Pch和Nch MOSFET。提供通过采用细微流程的「超低阻值的设备」而在广泛领域得以应用的功率MOSFET，并且结合用途，以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。
主要规格
特性：
Package Code
TSMT8
Number of terminal
8
Polarity
Nch+Pch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
60
Drain Current ID[A]
3
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.)
0.098
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)
0.093
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)
0.08
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)
0.098
Total gate charge Qg[nC]
4
Power Dissipation (PD)[W]
1.5
Drive Voltage[V]
4
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
150
Package Size [mm]
3x2.8 (t=0.85)
特点：
· Low on - resistance.· Small Surface Mount Package (TSMT8).
· Pb-free lead plating; RoHS compliant.
· Halogen Free
