RF4E080GN
4.5V驱动 N沟道MOSFET
RF4E080GN
4.5V驱动 N沟道MOSFET
功率MOSFET是采用微处理技术制造的低导通电阻器件，广泛应用于各种领域。产品阵容广泛，涵盖了小型、大功率和复合型等多种类型，以满足市场上的各种需求。
主要规格
特性：
Package Code
DFN2020-8S
Applications
Power Supply
Number of terminal
8
Polarity
N
Drain-Source Voltage VDSS[V]
30
Drain Current ID[A]
8
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.0176
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.0135
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.0176
Total gate charge Qg[nC]
2.8
Power Dissipation (PD)[W]
2
Drive Voltage[V]
4.5
Mounting Style
Surface mount
Bare Die Part Number
Available: K4513
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
2.0x2.0 (t=0.65)
特点：
・低导通电阻。・大功率小型模塑封装(HUML2020L8)
・不含铅电镀，符合RoHS标准
・无卤素
