RH6L040BG
Nch 60V 65A, HSMT8, 功率MOSFET

RH6L040BG是一款低导通电阻的功率MOSFET。非常适用于开关和电机驱动、DC-DC转换器应用。

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* 本产品是标准级的产品。
本产品不建议使用于车载设备。

主要规格

 
型号 | RH6L040BGTB1
Status | 推荐品
封装 | HSMT8
包装形态 | Taping
包装数量 | 3000
最小独立包装数量 | 3000
RoHS | Yes

特性:

Package Code

HSMT8 (3.3x3.3)

Applications

Switching, Motor

Number of terminal

8

Polarity

Nch

Drain-Source Voltage VDSS[V]

60

Drain Current ID[A]

65

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)

0.008

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)

0.0055

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)

0.008

Total gate charge Qg[nC]

9.2

Power Dissipation (PD)[W]

59

Drive Voltage[V]

4.5

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min)[℃]

-55

Storage Temperature (Max)[℃]

150

Package Size [mm]

3.3x3.3 (t=0.9)

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特点:

  • Low on - resistance
  • Small Surface Mount Package
  • Pb-free plating ; RoHS compliant

产品概要

 

背景

近年来,全球电力需求量持续增长,如何有效利用电力已成为迫在眉睫的课题,这就要求不断提高各种电机和基站、服务器等工业设备的工作效率。在这些应用中,中等耐压的MOSFET被广泛应用于各种电路中,制造商要求进一步降低功耗。另一方面,“导通电阻”和“Qgd”是引起MOSFET功率损耗的两项主要参数,但对于普通的MOSFET而言,由于导通电阻与芯片尺寸成反比,Qgd会成比例增加,因此很难同时兼顾这两项参数。针对这个课题,ROHM通过微细化工艺、采用铜夹片连接、改进栅极结构等措施,改善了两者之间的权衡关系。

概要

“RS6xxxxBx / RH6xxxxBx系列”不仅利用微细化工艺提高了器件性能,还通过采用低阻值铜夹片连接的HSOP8封装和HSMT8封装,实现了仅2.1mΩ的业界超低导通电阻(Ron),相比以往产品,导通电阻降低了50%。另外,通过改进栅极结构,Qgd(栅-漏电荷,通常与导通电阻之间存在权衡关系)也比以往产品减少了约40%(Ron和Qgd均为耐压60V的HSOP8封装产品之间的比较)。这可以降低开关损耗和导通损耗,非常有助于各种应用产品的高效率工作。例如,当在工业设备用电源评估板上比较电源效率时,产品在稳态工作时的输出电流范围内,实现了业界超高的电源效率(峰值时高达约95%)。

“RS6xxxxBx/RH6xxxxB系列”与以往产品的MOSFET性能比较
在工业设备用电源评估板上的效率比较

应用示例

◇通信基站和服务器用的电源
◇工业和消费电子产品用的电机
以及其他各种设备的电源电路和电机驱动。

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