RQ1E075XN
4V Drive Nch MOSFET

电界効果晶体管的MOSFET。提供通过采用细微流程的「针对通信产品的超低阻值的设备」而产生的节能的功率MOSFET,并且结合用途,以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。

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* 本产品是标准级的产品。
本产品不建议使用于车载设备。

主要规格

 
型号 | RQ1E075XNTCR
Status | 可购买
封装 | TSMT8
包装数量 | 3000
最小独立包装数量 | 3000
包装形态 | Taping
RoHS | Yes

特性:

Package Code

TSMT8

Applications

Switching

Number of terminal

8

Polarity

Nch

Drain-Source Voltage VDSS[V]

30

Drain Current ID[A]

7.5

RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.)

0.019

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)

0.017

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)

0.012

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.019

Total gate charge Qg[nC]

6.8

Power Dissipation (PD)[W]

1.5

Drive Voltage[V]

4

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

Package Size [mm]

3x2.8 (t=0.85)

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特点:

・4V驱动型 Nch 中功率MOSFET