RS1E240GN
4.5V驱动N沟道MOSFET
RS1E240GN
4.5V驱动N沟道MOSFET
功率MOSFET采用微处理技术制造，可实现低导通电阻，适用于广泛的应用。涵盖小巧型、大功率型和复杂型等丰富的产品阵容，可满足市场上的各种需求。
主要规格
特性：
Package Code
HSOP8
Applications
Power Supply
Number of terminal
8
Polarity
N
Drain-Source Voltage VDSS[V]
30
Drain Current ID[A]
72
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.0033
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.0026
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.0033
Total gate charge Qg[nC]
11.2
Power Dissipation (PD)[W]
27
Drive Voltage[V]
4.5
Mounting Style
Surface mount
Bare Die Part Number
Available: K4506
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
6.0x5.0 (t=1.1)
特点：
- 低导通电阻
- 大功率封装（HSOP8）
- 无铅引线镀层；符合RoHS标准
- 无卤素
- 通过 Rg和UIS测试
