BM3GF01MUV-LBZ (开发中)
内置650 V GaN HEMT的功率因数校正控制器IC
BM3GF01MUV-LBZ (开发中)
内置650 V GaN HEMT的功率因数校正控制器IC
该产品是工业设备市场中的高端产品。该产品是此类应用的优选产品。BM3GF01MUV-LBZ、BM3GF02MUV-LBZ集成了650V GaN HEMT和功率因数校正转换器（PFC），作为开关器件，为所有需要改善功率因数的产品提供更紧凑、更优的系统。PFC IC采用边界传导模式控制，通过零电流检测可以减少开关损耗和噪音。内置GaN HEMT有助于实现小型化和高效率。此外，该IC通过结合ROHM内置GaN HEMT的QR IC，可以外部控制PFC的开/关。在不需要PFC的待机期间停止PFC，有助于降低待机功耗。
主要规格
特性：
Controller Type
PFC
Channel
1
Zero Detect
Auxiliary Winding
W/W Input IEC61000-3-2 Class-C Support
Yes (LowTHD)
Vin1 (Typ.)[V]
2.5
Reference Voltage Accuracy (%)
1.5
Brown Out
No
VCC Discharge
Yes
OVP System
1 way
FET
-
VS Pin Over Voltage Protection (L/A)
Auto Restart
Vin1(Max.)[V]
38
VS Short Protection (L/A)
Auto Restart
BR PIN
No
Startup VOUT Overshoot Countermeasure Function
Yes
SW Frequency (Max.)[kHz]
250
Light Load mode
Yes
EN
Yes
Vmax (DrainMax) [V]
650
Thermal Shut-down
Yes
Under Voltage Lock Out
Yes
FET Withstand Voltage [V]
650
On Resistor (MOSFET)[Ω]
0.15
Operating Temperature (Min.)[°C]
-40
Operating Temperature (Max.)[°C]
125
Package Size [mm]
8.0x8.0 (t=1.0)
特点：
- 内置650 V耐压GaN HEMT
- 内置650 V启动电路
- 边界传导模式PFC
- 关断转换速率调节引脚
- 内置低THD电路
- 通过PFCOFF引脚进行ON/OFF控制
- VCC引脚的UVLO功能
- 通过辅助绕组实现ZCD
- 通过VS引脚实现静态OVP功能
- 通过VS引脚实现误差放大器输入短路保护
- 启动时的过压升压抑制功能
- 逐周期过流保护
