SCT4036DE (新产品)
750V, 42A, 3引脚THD, 沟槽结构, 碳化硅(SiC) MOSFET
SCT4036DE (新产品)
750V, 42A, 3引脚THD, 沟槽结构, 碳化硅(SiC) MOSFET
SCT4036DE是碳化硅(SiC)沟槽式MOSFET。具有耐高压、低导通电阻、开关速度快等特点。
ROHM第4代SiC MOSFET的优势
该系列产品与传统产品相比，导通电阻降低了约40%，开关损耗降低了约50%。15V的栅极-源极电压使应用设计更简便。
主要规格
特性：
Drain-source Voltage[V]
750
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
36
Generation
4th Gen (Trench)
Drain Current[A]
42
Total Power Dissipation[W]
136
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-40
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
21.0x16.0 (t=5.2)
特点：
- 低导通电阻
- 开关速度快
- 快速反向恢复
- 易于并联
- 易于驱动
- 无铅引线电镀；符合RoHS指令
