SCT4036DR (新产品)
750V, 42A, 4引脚THD, 沟槽结构SiC MOSFET
SCT4036DR (新产品)
750V, 42A, 4引脚THD, 沟槽结构SiC MOSFET
SCT4036DR是SiC（碳化硅）沟槽型MOSFET。其特点包括耐高压、导通电阻低和开关速度快。
ROHM第四代SiC MOSFET的优势
与传统产品相比，本系列的导通电阻降低了约40%，开关损耗降低了约50%。15V栅极-源极电压使应用设计更简单。
主要规格
特性：
Drain-source Voltage[V]
750
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
36
Generation
4th Gen (Trench)
Drain Current[A]
42
Total Power Dissipation[W]
136
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-40
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
23.45x16.0 (t=5.2)
特点：
- 低导通电阻
- 快速开关速度
- 快速反向恢复
- 易于并联
- 易于驱动
- 无铅引线电镀；符合RoHS指令
