SCT4036KWA
1200V, 40A, 7引脚SMD封装, 沟槽结构, 碳化硅(SiC)MOSFET
SCT4036KWA
1200V, 40A, 7引脚SMD封装, 沟槽结构, 碳化硅(SiC)MOSFET
SCT4036KWA是一款SiC（碳化硅）沟槽MOSFET。具有高耐压、低导通电阻和高速开关等特点。
ROHM第四代SiC MOSFET的优势
本系列产品与传统产品相比，导通电阻降低约40%，开关损耗降低约50%。15V的栅源电压使应用设计更简单。
主要规格
特性：
Drain-source Voltage[V]
1200
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
36
Generation
4th Gen (Trench)
Drain Current[A]
40
Total Power Dissipation[W]
150
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-40
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
15.4x10.2 (t=4.7)
特点：
- 低导通电阻
- 高速开关
- 快速反向恢复
- 易于并联
- 易于驱动
- 无铅引线电镀；符合RoHS标准
- 更宽的爬电距离 = 更低4.7毫米
