SCT4050KE (新产品)
1200V, 32A, 3引脚THD沟槽型碳化硅MOSFET
SCT4050KE (新产品)
1200V, 32A, 3引脚THD沟槽型碳化硅MOSFET
SCT4050KE是碳化硅沟槽型MOSFET。具有耐高压、低导通电阻和高速开关等特点。
ROHM第四代SiC MOSFET的优势
与传统产品相比，本系列产品的导通电阻降低了约40%，开关损耗降低了约50%。15V的栅极-源极电压使应用设计更简单。
主要规格
特性：
Drain-source Voltage[V]
1200
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
50
Generation
4th Gen (Trench)
Drain Current[A]
32
Total Power Dissipation[W]
136
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-40
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
21.0x16.0 (t=5.2)
特点：
- 低导通电阻
- 开关速度快
- 反向恢复快
- 易于并联
- 驱动简单
- 无铅引线镀层；符合RoHS指令
