SiC(碳化硅)功率模块_BSM600D12P3G001

BSM600D12P3G001是由罗姆公司生产的SiC-UMOSFET和SiC-SBD构成的全SiC半桥模块。适合电机驱动、逆变器、转换器、太阳能发电、风力发电及感应加热装置等用途。

* 本产品是标准级的产品。本产品不建议使用于车载设备。
型号 | BSM600D12P3G001
Status | 推荐品
封装 | G
包装数量 | 4
最小独立包装数量 | 4
包装形态 | Corrugated Cardboard
RoHS | Yes

特性:

Drain-source Voltage[V]

1200

Drain Current[A]

576.0

Total Power Dissipation[W]

2450

Junction Temperature(Max.)[°C]

175

Storage Temperature (Min.)[°C]

-40

Storage Temperature (Max.)[°C]

125

Package

Half bridge

特点:

  • Low surge, low switching loss.
  • High-speed switching possible.
  • Reduced temperature dependance.