S6602
1200V, 10A, 碳化硅(SiC) SBD裸芯片
S6602
S6602
1200V, 10A, 碳化硅(SiC) SBD裸芯片
S6602是一款碳化硅(SiC)外延平面型肖特基势垒二极管。旨在降低开关损耗，实现高速开关操作。
如需采购裸芯片，请联系我们的销售办事处了解具体规格。目前，我们不会在互联网分销商处销售裸芯片。
Data Sheet
* 本产品是标准级的产品。
本产品不建议使用于车载设备。
本产品不建议使用于车载设备。
主要规格
特性：
Reverse Voltage[V]
1200
Continuous Forward Current[A]
10
Generation
3rd Gen
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
特点：
- 更低正向电压
- 可忽略不计的恢复时间/电流
- 温度独立开关特性
- 高浪涌电流能力
