YQ3VWM10B
沟槽型MOS结构、100V、3A、PMDE、高效率SBD
YQ3VWM10B
沟槽型MOS结构、100V、3A、PMDE、高效率SBD
YQ3VWM10B是一款高效肖特基势垒二极管，其设计改善了低VF和低IR之间的平衡。即使在低VF时，它也能在高温下实现稳定运行。更适用于开关电源、续流二极管和反极性保护应用。
主要规格
特性：
Configuration
Single
Package Code
PMDE
Mounting Style
Surface mount
Number of terminal
2
VRM[V]
100
Reverse Voltage VR[V]
100
Average Rectified Forward Current IO[A]
3
IFSM[A]
30
Forward Voltage VF(Max.)[V]
0.88
IF @ Forward Voltage [A]
3
Reverse Current IR(Max.)[mA]
0.01
VR @ Reverse Current[V]
100
Tj[℃]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
2.5x1.3 (t=1.0)
特点：
- 高可靠性
- 小型电源模具型
- 低 VF 和低 IR
- 低电容
Videos & Catalogs
