GNP1150TCA-Z
EcoGaN™, 650V 11A DFN8080AK, E-mode Gallium-Nitride(GaN) FET
GNP1150TCA-Z
EcoGaN™, 650V 11A DFN8080AK, E-mode Gallium-Nitride(GaN) FET
GNP1150TCA-Z是一款650V GaN HEMT，实现了业内出色的FOM (Ron*Ciss、Ron*Coss)。该产品属于EcoGaN™ 系列产品，利用该系列产品低导通电阻和高速开关的特性，有助于提高功率转换效率并减小产品尺寸；内置ESD保护功能，有助于实现高可靠性的设计。另外，通过采用通用性高的DFN封装，不仅散热性能出色，还非常易于安装。
主要规格
特性：
VDS [V]
650
IDS [A]
11
VGS Rating [V]
6
RDS(on) [mΩ]
150
Qg [nC]
2.7
Dimensions [mm]
8.0x8.0 (t=0.9)
特点：
- 650V E-mode GaN FET
- 150mΩ Resistance
- 2.7nC Gate Charge
产品概要
背景
据悉，电源和电机的用电量占全世界用电量的一大半，为实现无碳社会，如何提高它们的效率已成为全球性的社会问题。而功率元器件是提高它们效率的关键，SiC（Silicon Carbide：碳化硅）和GaN等新材料在进一步提升各种电源效率方面被寄予厚望。2022年，ROHM将栅极耐压高达8V的150V耐压GaN HEMT投入量产；2023年3月，又确立了能够更大程度地发挥出GaN性能的控制IC技术。此次，为了助力各种电源系统的效率提升和小型化，ROHM又推出器件性能达到业界超高水平的650V耐压GaN HEMT。
概要
产品是ROHM与Delta Electronics, Inc.的子公司——专注于GaN元器件开发的Ancora Semiconductors Inc.联合开发而成的，在650V GaN HEMT的器件性能指数（RDS（ON）×Ciss / RDS（ON）×Coss）方面，达到了业界超高水平。 因此，产品可以大大降低开关损耗，从而能够进一步提高电源系统的效率。另外，产品还内置ESD保护器件，将抗静电能力提高至3.5kV，这将有助于提高应用产品的可靠性。不仅如此新产品还具有GaN HEMT器件的优势——高速开关工作，从而有助于外围元器件的小型化。
应用示例
包括服务器和AC适配器在内的各种工业设备和消费电子领域的电源系统
