RGT50NS65D(TO-262)

短路耐量 5µs, 650V 25A,内置快速反向恢复二极管, TO-262, 沟槽式场截止型 IGBT
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RGT50NS65D(TO-262)

RGT50NS65D(TO-262)
短路耐量 5µs, 650V 25A,内置快速反向恢复二极管, TO-262, 沟槽式场截止型 IGBT

罗姆的IGBT（绝缘栅极型双极晶体管）产品为广大的高电压、大电流应用的高效化和节能化做出了贡献。

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* 本产品是标准级的产品。
本产品不建议使用于车载设备。
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主要规格

 
型号 | RGT50NS65DGC9
Status | 可购买
封装 | TO-262
包装数量 | 1000
最小独立包装数量 | 1000
包装形态 | Tube
RoHS | Yes

特性：

Series

T: For inverter (tsc 5µs)

VCES [V]

650

IC(100°C)[A]

25

VCE(sat) (Typ.) [V]

1.65

tf(Typ.) [ns]

65

tsc(Min.) [us]

5

Built-in Diode

FRD

Pd [W]

194

BVCES (Min.)[V]

650

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

175

Package Size [mm]

10.1x9 (t=4.7)

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特点：

  • Low Collector-Emitter Saturation Voltage
  • Low Switching Loss
  • Short Circuit Withstand Time 5µs
  • Built in Very Fast & Soft Recovery FRD (RFN-Series)
  • Pb-free Lead Plating; RoHS Compliant
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