SG8401WN
10µs短路耐受时间，1200V 40A，IGBT Bare Die
SG8401WN
SG8401WN
10µs短路耐受时间，1200V 40A，IGBT Bare Die
应用：车载和工业通用逆变器、车载加热器和车载励磁机
若需购买裸芯片，请联系我们销售办事处获取详细规格。目前，我们暂不通过互联网经销商销售裸芯片。
主要规格
特性：
Series
A: For inverter (tsc 7-10µs)
VCES [V]
1200
IC(Nominal) [A] / IF(Nominal) [A]
40
VCE(sat) (Typ.) [V]
1.55
tsc(Min.) [us]
10
Operating Temperature (Min.)[°C]
-40
Operating Temperature (Max.)[°C]
175
特点：
- 沟槽式薄穿通型
- 低集电极-发射极饱和电压
- 短路耐受时间10µs
