SG8407WN
10µs短路容差，1200V 100A，IGBT Bare Die
SG8407WN
SG8407WN
10µs短路容差，1200V 100A，IGBT Bare Die
应用: 车载和工业通用逆变器，车载加热器和车载激励器
关于裸芯片的销售，请联系我公司销售部门，目前我公司未在网上销售裸芯片。
主要规格
特性：
Series
A: For inverter (tsc 7-10µs)
VCES [V]
1200
IC(Nominal) [A] / IF(Nominal) [A]
100
VCE(sat) (Typ.) [V]
1.55
tsc(Min.) [us]
10
Operating Temperature (Min.)[°C]
-40
Operating Temperature (Max.)[°C]
175
特点：
- 沟槽轻穿透型
- 低集电极-发射极饱和电压
- 短路耐受时间10µs
