RA1C030LD
N沟道 20V 3.0A, SMM1006, WLCSP MOSFET
RA1C030LD
N沟道 20V 3.0A, SMM1006, WLCSP MOSFET
RA1C030LD是一款WLCSP MOSFET，具有低导通电阻和高功率封装，适用于开关电路、单节电池应用、移动应用。
主要规格
特性：
Package Code
DSN1006-3
Applications
Switching
Number of terminal
3
Polarity
N
Drain-Source Voltage VDSS[V]
20
Drain Current ID[A]
3
RDS(on)[Ω] VGS=1.8V(Typ)
0.2
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ)
0.13
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.08
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.2
Total gate charge Qg[nC]
1.5
Power Dissipation (PD)[W]
1
Drive Voltage[V]
1.8
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
1.0x0.6 (t=0.25)
特点：
- 低导通电阻。
- 高功率小型封装。
- 不含铅，符合RoHS标准。
- 无卤。
- ESD保护高达200V（MM），高达2kV（HBM）
- WLCSP（晶圆级芯片尺寸封装）
产品概要
背景
近年来，随着小型设备向高性能化和多功能化方向发展，设备内部所需的电量也呈增长趋势，电池尺寸的增加，导致元器件的安装空间越来越少。另外，电池的尺寸增加也是有限制的，为了更有效地利用有限的电池电量，就需要减少用电元器件的功率损耗。
针对这种需求，开发易于小型化而且特性优异的晶圆级芯片尺寸封装的MOSFET已逐渐成为业界主流。ROHM利用其本身也是IC制造商的优势，通过灵活运用其IC工艺，大大降低了在以往分立器件的工艺中会增加的布线电阻，开发出功率损耗更低的小型功率MOSFET。
概要
采用融入了ROHM自有IC工艺的晶圆级芯片尺寸封装DSN1006-3（1.0mm×0.6mm），在实现小型化的同时还降低了功耗。与相同封装的普通产品相比，表示导通损耗和开关损耗之间关系的指标（导通电阻×Qgd）改善了20%左右，达到业内先进水平（1.0mm×0.6mm以下封装产品比较），非常有助于缩减各种小型设备电路板上的元器件所占面积并进一步提高效率。另外，还采用ROHM自有的封装结构，使侧壁有绝缘保护（相同封装的普通产品没有绝缘保护）。在受空间限制而不得不高密度安装元器件的小型设备中，使用这款新产品可降低因元器件之间的接触而导致短路的风险，从而有助于设备的安全运行。
应用示例
◇无线耳机等可听戴设备
◇智能手表、智能眼镜、运动相机等可穿戴设备
◇智能手机
此外，还适用于其他各种轻薄小型设备的开关应用。
