RJ1P10BAT (新产品)
Pch -100V -105A, TO-263AB, 功率MOSFET
RJ1P10BAT (新产品)
Pch -100V -105A, TO-263AB, 功率MOSFET
RJ1P10BAT是具有低导通电阻和高功率封装的功率MOSFET，适用于开关和电机驱动应用。
本产品不建议使用于车载设备。
主要规格
特性：
Package Code
TO-263AB
Applications
Switching
Number of terminal
3
Polarity
Pch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
-100
Drain Current ID[A]
-105
RDS(on)[Ω] VGS=6V(Typ)
0.0104
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.0094
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.0104
Total gate charge Qg[nC]
255
Power Dissipation (PD)[W]
201
Drive Voltage[V]
-6
trr (Typ.)[ns]
62
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
15.1×10.11 (t=4.77)
特点：
- 低导通电阻
- 高功率封装(TO263AB)
- 无铅电镀，符合RoHS标准
- 无卤素
- Rg和UIS测试
