White Paper
- Cutting-Edge Web Simulation Tool “ROHM Solution Simulator” Capable of Complete Circuit Verification of Power Devices and Driver ICs
- LEADRIVE: Design, Test and System Evaluation of Silicon Carbide Power Modules and Motor Control Units
S4101
S4101
N-channel SiC（碳化硅）功率MOSFET Bare die
S4101是基于SiC的Trench MOSFET。其特征是高耐压、低导通电阻、高速开关。
关于Bare Die的销售请向本公司销售部门咨询规格。现在尚未进行网络销售及经由网络公司进行销售。
Data Sheet
* 本产品是标准级的产品。
本产品不建议使用于车载设备。
本产品不建议使用于车载设备。
主要规格
特性：
Drain-source Voltage[V]
1200
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mO]
40.0
Drain Current[A]
55.0
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
特点：
· Low ON resistance· Fast switching speed
· Fast revese recovery
· Easy to parallel
· Simple to drive
设计资源
文档
White Paper
- Cutting-Edge Web Simulation Tool “ROHM Solution Simulator” Capable of Complete Circuit Verification of Power Devices and Driver ICs
- LEADRIVE: Design, Test and System Evaluation of Silicon Carbide Power Modules and Motor Control Units
技术记事
Schematic Design & Verification
- 开关电路的功率损失计算
- 开关波形的监测方法
- SiC功率器件･模块 应用笔记
- 功率测量中探针校正的重要性 倾斜校正篇
- 旁路电容器的阻抗特性
Thermal Design
- Notes for Temperature Measurement Using Thermocouples
- 热仿真用双热阻模型
- 热模型是什么（SiC功率器件篇）
- Notes for Temperature Measurement Using Forward Voltage of PN Junction
- 热模型使用方法（SiC功率器件篇）
- 热阻RthJC 的测量方法和使用方法
- 使用热电偶测量封装背面温度时的注意点
设计模型
Models
- S4101 SPICE Model