N-channel SiC(碳化硅)功率MOSFETbare die_S4102

S4102是SiC(碳化硅)功率MOSFET。其特征是高耐压、低导通电阻、高速开关。
关于Bare Die的销售请向本公司销售部门咨询规格。现在尚未进行网络销售及经由网络公司进行销售。

* 本产品是标准级的产品。本产品不建议使用于车载设备。
型号 | S4102
Status | 可购买
封装 |
包装数量 |
最小独立包装数量 |
包装形态 |
RoHS | Yes

特性:

Drain-source Voltage[V]

1200

Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mO]

30.0

Drain Current[A]

72.0

Junction Temperature(Max.)[°C]

175

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

175

特点:

  • Low on-resistance
  • Fast switching speed
  • Fast reverse recovery
  • Easy to parallel
  • Simple to drive