S4102
N-channel SiC(碳化硅)功率MOSFETbare die

S4102是SiC(碳化硅)功率MOSFET。其特征是高耐压、低导通电阻、高速开关。
关于Bare Die的销售请向本公司销售部门咨询规格。现在尚未进行网络销售及经由网络公司进行销售。

Data Sheet 购买
* 本产品是标准级的产品。
本产品不建议使用于车载设备。
Data Sheet 购买

主要规格

 
型号 | S4102
Status | 可购买
封装 |
包装数量 |
最小独立包装数量 |
包装形态 |
RoHS | Yes

特性:

Drain-source Voltage[V]

1200

Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mO]

30.0

Drain Current[A]

72.0

Junction Temperature(Max.)[°C]

175

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

175

特点:

  • Low on-resistance
  • Fast switching speed
  • Fast reverse recovery
  • Easy to parallel
  • Simple to drive

设计资源

 

文档

White Paper

  • Cutting-Edge Web Simulation Tool “ROHM Solution Simulator” Capable of Complete Circuit Verification of Power Devices and Driver ICs
  • LEADRIVE: Design, Test and System Evaluation of Silicon Carbide Power Modules and Motor Control Units

技术记事

Schematic Design & Verification

  • 开关电路的功率损失计算
  • 开关波形的监测方法
  • SiC功率器件・模块 应用笔记
  • 功率测量中探针校正的重要性 倾斜校正篇
  • 旁路电容器的阻抗特性

Thermal Design

  • Notes for Temperature Measurement Using Thermocouples
  • 热仿真用双热阻模型
  • 热模型是什么(SiC功率器件篇)
  • Notes for Temperature Measurement Using Forward Voltage of PN Junction
  • 热模型使用方法(SiC功率器件篇)
  • 热阻RthJC 的测量方法和使用方法
  • 使用热电偶测量封装背面温度时的注意点

设计模型

Models

  • S4102 SPICE Model