SCT4050KWA (新产品)
1200V, 29A, 7引脚SMD, 沟槽结构，SiC（碳化硅）MOSFET
SCT4050KWA (新产品)
1200V, 29A, 7引脚SMD, 沟槽结构，SiC（碳化硅）MOSFET
SCT4050KWA 是一款SiC（碳化硅）沟槽MOSFET。具有高耐压、低导通电阻和快速开关速度等特点。
ROHM 第四代SiC MOSFET 的优势
与传统产品相比，该系列产品的导通电阻减少约40%，开关损耗减少约50%。15V的栅极-源极电压使应用设计更简单。
主要规格
特性：
Drain-source Voltage[V]
1200
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
50
Generation
4th Gen (Trench)
Drain Current[A]
29
Total Power Dissipation[W]
115
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-40
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
15.4x10.2 (t=4.7)
特点：
- 低导通电阻
- 快速开关速度
- 快速反向恢复
- 易于并联
- 易于驱动
- 无铅电镀；符合RoHS标准
- 宽爬电距离 ≥ 4.7mm
