SCT4065DRHR (新产品)
750V, 25A, 4引脚THD沟槽结构车载用SiC（碳化硅）MOSFET
SCT4065DRHR (新产品)
750V, 25A, 4引脚THD沟槽结构车载用SiC（碳化硅）MOSFET
AEC-Q101认证的车载用产品。SCT4065DRHR是一款碳化硅（SiC）沟槽型MOSFET。其特点包括耐高压、低导通电阻和更快的开关速度。
ROHM第四代SiC MOSFET的优势
与传统产品相比，本系列产品的导通电阻降低了约40%，开关损耗降低了约50%。15V的栅极-源极电压使应用设计更简单。
主要规格
特性：
Drain-source Voltage[V]
750
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
65
Generation
4th Gen (Trench)
Drain Current[A]
25
Total Power Dissipation[W]
88
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-40
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
23.45x16.0 (t=5.2)
Common Standard
AEC-Q101 (Automotive Grade)
特点：
- 符合AEC-Q101标准
- 低导通电阻
- 更快的开关速度
- 更快的反向恢复
- 易于并联
- 驱动简单
- 无铅镀层；符合RoHS
