ROHM Product Detail

BST25B2P4K01-VC (新产品)

HSDIP20, 1200V, 25A, 全桥, 车载用/工业设备市场 SiC功率模块
Data Sheet 购买
BST25B2P4K01-VC
(新产品)

BST25B2P4K01-VC (新产品)
HSDIP20, 1200V, 25A, 全桥, 车载用/工业设备市场 SiC功率模块

BST25B2P4K01是一款高性能SiC模压模块，额定电压1200V，采用4合1结构，理想用于车载充电器(OBC)中的PFC和LLC电路。HSDIP20采用具有优良散热性能的绝缘衬底。即使在高功率条件下，这也有助于保持芯片温度稳定，从而在紧凑的外形尺寸内实现大电流处理。与顶面冷却的分立器件相比，它提供超过3倍的功率密度，以及其他DIP模块1.4倍的功率密度。在PFC应用中，它可将安装面积减少约52%，大大有助于OBC等应用中功率转换电路的小型化。通过将必要的功率转换电路内置于模块中，它减少了设计工作量，并实现了OBC及其他应用中功率转换电路的小型化。作为新一代车载系统的关键解决方案，它支持高输出、紧凑型电动动力系统的开发。

应用示例

  • 车载系统：车载充电器、电动压缩机等。
  • 工业设备：电动汽车充电站、V2X系统、交流伺服系统、服务器电源、光伏逆变器、电能调节器等。

Data Sheet 购买
Data Sheet 购买

主要规格

 
型号 | BST25B2P4K01-VC
Status | 推荐品
封装 | HSDIP20
包装形态 | Corrugated Cardboard
包装数量 | 180
最小独立包装数量 | 60
RoHS | Yes

特性：

Drain-source Voltage[V]

1200

Drain Current[A]

25

Total Power Dissipation[W]

152

Junction Temperature (Max.) [℃]

175

Storage Temperature (Min.) [℃]

-40

Storage Temperature (Max.) [℃]

125

Package

Full-Bridge

Package Size [mm]

38.0x31.3 (t=3.5)

Common Standard

AQG 324 (Automotive Grade)

Find Similar

特点：

  • HSDIP20封装，采用第四代SiC-MOSFET
  • VDSS = 1200V
  • 低RDS(on)
  • 可实现高速开关
  • 低开关损耗
  • Tvjmax = 175°C
  • 紧凑设计
  • 高导热绝缘
  • 集成NTC温度传感器
  • 4.2kV AC 1s绝缘

Videos & Catalogs

 
Loading...
X

Most Viewed