ROHM Product Detail

BST25T2P4K01-VC (新产品)

HSDIP20, 1200V, 25A, 三相桥式, 车载用/工业用SiC功率模块
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BST25T2P4K01-VC
(新产品)

BST25T2P4K01-VC (新产品)
HSDIP20, 1200V, 25A, 三相桥式, 车载用/工业用SiC功率模块

BST25T2P4K01是一款高性能SiC模压模块，额定电压1200V，采用6合1结构，非常适合车载充电器（OBC）中的PFC和LLC电路。HSDIP20采用绝缘衬底，具有优良的散热性能。这有助于即使在高功率条件下也能保持稳定的芯片温度，从而在紧凑的外形尺寸内实现高电流处理能力。与顶部冷却的分立器件相比，它的功率密度提高了3倍以上，是其他DIP模块的1.4倍。在PFC应用中，它可以将安装面积减少约52%，大大有助于车载充电器等应用中功率转换电路的小型化。由于模块中内置了重要的功率转换电路，它减少了设计工作量，并实现了车载充电器和其他应用中功率转换电路的小型化。作为下一代汽车系统的关键解决方案，它支持高输出、紧凑型电动动力总成的开发。

应用示例

  • 汽车系统：车载充电器、电动压缩机等。
  • 工业设备：电动汽车充电站、V2X系统、交流伺服系统、服务器电源、光伏逆变器、电能调节器等。

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主要规格

 
型号 | BST25T2P4K01-VC
Status | 推荐品
封装 | HSDIP20
包装形态 | Corrugated Cardboard
包装数量 | 180
最小独立包装数量 | 60
RoHS | Yes

特性：

Drain-source Voltage[V]

1200

Drain Current[A]

25

Total Power Dissipation[W]

152

Junction Temperature (Max.) [℃]

175

Storage Temperature (Min.) [℃]

-40

Storage Temperature (Max.) [℃]

125

Package

3-Phase-Bridge

Package Size [mm]

38.0x31.3 (t=3.5)

Common Standard

AQG 324 (Automotive Grade)

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特点：

  • HSDIP20封装，采用第四代SiC-MOSFET
  • VDSS = 1200V
  • 低RDS(on)
  • 可实现高速开关
  • 低开关损耗
  • Tvjmax = 175°C
  • 紧凑型设计
  • 具有高导热绝缘性
  • 集成NTC温度传感器
  • 4.2kV AC 1秒绝缘

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