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BST70M2P4K01-VC (新产品)

HSDIP20，1200V，70/38A，三相桥，车载用/工业用SiC功率模块
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BST70M2P4K01-VC
(新产品)

BST70M2P4K01-VC (新产品)
HSDIP20，1200V，70/38A，三相桥，车载用/工业用SiC功率模块

BST70M2P4K01是额定电压1200V的高性能SiC模压模块，采用6合1结构，更适合车载充电器（OBC）中的PFC和LLC电路。HSDIP20封装具有导热性能优异的绝缘基板。这有助于即使在高功率条件下也能保持芯片温度稳定，从而在紧凑的尺寸下实现高电流处理。与顶侧冷却分立器件相比，它的功率密度增加了3倍以上，是其他DIP模块的1.4倍。在PFC应用中，它可将安装面积减少约52%，大大有助于OBC等应用中功率转换电路的小型化。由于模块中内置了基本功率转换电路，因此可以减少设计工作量，并实现OBC和其他应用中功率转换电路的小型化。作为下一代车载系统的关键解决方案，它支持开发高输出、紧凑型电动动力总成。

应用示例

  • 车载系统：车载充电器、电动压缩机等。
  • 工业设备：电动汽车充电站、V2X系统、交流伺服系统、服务器电源、光伏逆变器、电能调节器等。

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主要规格

 
型号 | BST70M2P4K01-VC
Status | 推荐品
封装 | HSDIP20
包装形态 | Corrugated Cardboard
包装数量 | 180
最小独立包装数量 | 60
RoHS | Yes

特性：

Drain-source Voltage[V]

1200

Drain Current[A]

70/38

Total Power Dissipation[W]

385/227

Junction Temperature (Max.) [℃]

175

Storage Temperature (Min.) [℃]

-40

Storage Temperature (Max.) [℃]

125

Package

3-Phase-Bridge

Package Size [mm]

38.0x31.3 (t=3.5)

Common Standard

AQG 324 (Automotive Grade)

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特点：

  • HSDIP20封装，采用第四代SiC-MOSFET
  • VDSS = 1200V
  • 低RDS(on)
  • 可实现高速开关
  • 低开关损耗
  • Tvjmax = 175°C
  • 紧凑型设计
  • 具有高导热隔离特性
  • 集成NTC温度传感器
  • 4.2kV AC 1s绝缘

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