S6508
650V, 20A, SiC（碳化硅）SBD裸芯片
S6508
S6508
650V, 20A, SiC（碳化硅）SBD裸芯片
S6508 是一款SiC（碳化硅）外延平面型肖特基势垒二极管。降低了开关损耗，实现了高速开关操作。
关于裸芯片的销售，请联系我司销售部门咨询规格。目前，我们不在网上经销商处销售裸芯片。
Data Sheet
* 本产品是标准级的产品。
本产品不建议使用于车载设备。
本产品不建议使用于车载设备。
主要规格
特性：
Reverse Voltage[V]
650
Continuous Forward Current[A]
20
Generation
3rd Gen
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
特点：
- 低正向电压
- 可忽略的恢复时间/电流
- 温度独立开关行为
- 高浪涌电流能力
