SCS210AN
650V, 10A, SMD, SiC（碳化硅）SBD
SCS210AN
SCS210AN
650V, 10A, SMD, SiC（碳化硅）SBD
更低开关损耗，支持高速开关。(宽爬电距离, 3引脚封装)
主要规格
特性：
Grade
Standard
Reverse Voltage[V]
650
Continuous Forward Current[A]
10
Generation
2nd Gen
Total Power Dissipation[W]
78
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-40
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
15.1x10.1 (t=4.7)
特点：
- 低正向电压
- 可忽略的恢复时间/电流
- 开关特性不受温度影响
- 宽爬电距离 = 更小 5.10mm
Videos & Catalogs
产品视频一览
宽爬电距离封装 SiC肖特基势垒二极管 - SCS2xxAN (650V), SCS2xxKN (1,200V)
2024-11-12
( 1.09 MB )
SCS2xxAN（650V）和SCS2xxKN（1,200V）是采用小型表贴封装、实现了宽爬电距离的SiC肖特基势垒二极管。虽为小型表贴封装，但通过确保足够的爬电距离，可减轻采取特殊绝缘对策（灌封处理）的负担。
SCS2xxAN（650V）和SCS2xxKN（1,200V）是采用小型表贴封装、实现了宽爬电距离的SiC肖特基势垒二极管。虽为小型表贴封装，但通过确保足够的爬电距离，可减轻采取特殊绝缘对策（灌封处理）的负担。