BM3G115MUV-LB
Nano Cap™, EcoGaN™, 650V 150mΩ 2MHz, GaN HEMT Power Stage IC
BM3G115MUV-LB
Nano Cap™, EcoGaN™, 650V 150mΩ 2MHz, GaN HEMT Power Stage IC
此产品是工业设备市场中更优异的产品。此产品是适用于这些应用的更好产品。BM3G115MUV-LB为所有需要高功率密度和效率的电子系统提供更优解决方案。通过将650 V增强型GaN HEMT和硅驱动器集成到ROHM的原始封装中，与传统的分立解决方案相比，因PCB和引线键合引起的寄生电感显着降低。因此，可以实现高达150 V/ns的高开关压摆率。另一方面，可调节的栅极驱动强度有助于降低EMI，各种保护和其他附加功能提供更优化的成本和PCB尺寸。此IC旨在适应现有的主要控制器，因此它也可以用于替代传统的分立式功率开关，如超级结MOSFET。
主要规格
特性：
Vin (Min.)[V]
-0.6
Vin (Max.)[V]
30
Operating Current@500 kHz(Typ) [mA]
1.2
Quiescent Current (Typ) [μA]
150
Switching Frequency(Max)[MHz]
2
Turn-on Delay Time(Typ)[ns]
14
Turn-off Delay Time(Typ)[ns]
19
Temperature (Min.)[°C]
-40
Temperature (Max.)[°C]
105
ON State Resistance(Typ)[mΩ]
150
Package Size [mm]
8.0x8.0 (t=1.0)
Application
Networking, Server
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Min.)[°C]
150
特点：
- Nano Cap™ 集成5 V LDO
- VDD引脚电压的更宽工作范围
- IN引脚电压的更宽工作范围
- 低VDD静态和工作电流
- 低传播延迟
- 高dv/dt抗扰度
- 可调节的栅极驱动强度
- 电源正常信号输出
- VDD欠压锁定保护
- 热关断保护
参考设计 / 应用评估套件
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- Evaluation Board - BM3G115MUV-EVK-003
The BM3G115MUV-EVK-003 evaluation board consists of the BM3G115MUV (GaN FET (650V 150mΩ), integrated driver and protection circuit) and A board on which peripheral components are mounted. This IC is designed to adapt major exist controllers, so that it also can be used to replace the traditional discrete power switches, such as super junction MOSFET.
Videos & Catalogs
