RV4E031RPHZG
Pch-30V-3.1A汽车用小信号MOSFET
RV4E031RPHZG
Pch-30V-3.1A汽车用小信号MOSFET
RV4E031RPHZG是一款超紧凑型车规级MOSFET，具有卓越的安装可靠性。RV4E031RPHZG具有利用独有的Wettable Flank成型技术进行车辆应用所需的封装侧面电极高度（130μm）。因此，可保持一致的焊接质量，即使是底部电极类型的产品也可以在产品安装后的外观检测中充分确认焊接状态。并且，有助于ADAS摄像机模块等汽车设备实现进一步小型化。
主要规格
特性：
Package Code
DFN1616-6W
Number of terminal
8
Polarity
Pch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
-30
Drain Current ID[A]
-3.1
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.)
0.122
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)
0.108
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)
0.075
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)
0.122
Total gate charge Qg[nC]
4.8
Power Dissipation (PD)[W]
1.5
Drive Voltage[V]
-4
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
150
Package Size [mm]
1.6x1.6 (t=0.8)
Common Standard
AEC-Q101 (Automotive Grade)
特点：
- Low on - resistance.
- Small high power package
- Low voltage drive(4V)
- 100% UIS tested.
- Wettable Flank for automated optical solder inspection(AOI). Electrode part 130μm guarantee.
产品概要
产品概要
近年来，ADAS不可或缺的车载摄像头，受安装空间的限制，对所配置部件的小型化要求越来越高。为满足这些市场需求，在保持大电流的前提下，有望进一步实现小型化的底部电极封装MOSFET备受瞩目。
另一方面，对于汽车电子产品，为确保可靠性，会在产品安装后进行外观检测*1)，但由于底部电极封装在侧面没有充分形成稳定的焊接面，因此无法确保汽车电子需要的焊料高度，并且很难确认安装后的焊接状态，这是长期以来存在的课题。
ROHM一直致力于包括超小型MOSFET在内的产品的开发，并创造了傲人业绩。此次，通过引入ROHM工艺方法的 Wettable Flank成型技术*2)，底面电极封装也能形成焊接面。保证封装侧面电极部分130μm的高度，因此可在产品安装后的外观检测中可以充分确认焊接状态。
未来，ROHM会充分运用Wettable Flank成型技术优势，继续开发小型封装技术，并将技术优势从MOSFET扩展到双极晶体管和二极管产品，持续扩充追求小型高可靠性的产品阵容。
产品阵容
| 产品名称 | 极性 [ch] |
漏极 源极间 耐压 VDSS[V] |
漏极 电流 ID[A] |
驱动电压 [V] |
漏极 - 源极间导通电阻 | |||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RDS(on)[mΩ] @VGS=10V |
RDS(on)[mΩ] @VGS=4.5V |
RDS(on)[mΩ] @VGS=4.0V |
RDS(on)[mΩ] @VGS=2.5V |
RDS(on)[mΩ] @VGS=1.8V |
RDS(on)[mΩ] @VGS=1.5V |
|||||||||||
| Typ. | Max. | Typ. | Max. | Typ. | Max. | Typ. | Max. | Typ. | Max. | Typ. | Max. | |||||
 RV4E031RP HZG |
P | 30 | 3.1 | 4.0 | 75 | 105 | 108 | 152 | 122 | 172 | ─ | ─ | ─ | ─ | ─ | ─ |
RV4C020ZP HZG |
P | 20 | 2.0 | 2.5 | ─ | ─ | 180 | 260 | ─ | ─ | 240 | 340 | 320 | 450 | 400 | 560 |
特点
1．利用融入ROHM独有工艺方法的Wettable Flank成型技术，保证封装侧面电极部分130μm的高度
Wettable Flank成型技术是在封装侧面的引线框架部加入切割再进行电镀的技术。但是，引线框架切割高度越高越容易产生毛刺。
为此，ROHM开发出独有的工艺方法，在引线框架整个表面上设置了用来减少毛刺的阻挡层。这可以防止产品安装时的倾斜和焊接不良，而且作为DFN1616封装产品（1.6mm×1.6mm），保证封装侧面电极部分130μm的高度。
2．替换为小型底部电极 MOSFET，削减安装面积
以往ADAS摄像头模块的反接保护电路主要采用肖特基势垒二极管（SBD）。但是，随着摄像头的分辨率日益提高，在超大电流化方向发展的车载市场，由于小型底部电极MOSFET具有导通电阻低且可减少发热量的特点，替换掉SBD已经是大势所趋。
例如电流2.0A、功耗0.6W时，在车载市场被广为使用的带引脚封装MOSFET，与SBD相比，可削减30%的安装面积。而底部电极封装的MOSFET，由于是底部电极，散热性更好，不仅可实现小型化，还可实现大电流化。因此，与传统的SBD相比，其安装面积可削减78%，与普通的MOSFET相比，其安装面积可削减68%。
术语解说
*1)外观检测
也称自动光学检查或AOI（Automated Optical Inspection）。例如，用摄像头扫描电路板，以检查部件缺陷和品质缺陷、焊接状态等。
*2)Wettable Flank技术
在QFN和DFN等底部电极封装的侧面引线框架部加入切割再进行电镀加工，在侧面也形成电极的技术。
