罗姆的高压(600V~)功率MOSFET产品采用了超级结技术。
该技术实现了高速开关和低导通电阻,可以减少应用损耗。
罗姆有低噪声和高速开关两类产品,可以根据客户的需求进行提案。
此外,PrestoMOS系列采用了罗姆的专利技术,内置了快速二极管,有助于电机和逆变器等节能。
SuperJunction MOSFET
推荐使用罗姆的SuperJunction-MOSFET的三个理由
- ①根据客户需求提供三种产品系列
- ②每种系列提供丰富的导通电阻和封装阵容
- ③高性能、高品质、完善的支持体制
[新产品] 内置高速开关 600V耐压超级结 MOSFET “PrestoMOS” R60xxJNx系列
ROHM推出600V耐压超级结 MOSFET“PrestoMOS”系列产品,在保持极快反向恢复时间(trr)的同时,提高设计灵活度,非常适用于空调、冰箱等白色家电的电机驱动以及EV充电桩。近日,该系列产品群又新增了“R60xxJNx系列”共30种机型。
PrestoMOS R60xxJNx系列
PrestoMOS R60xxJNx系列 购买样品
罗姆的SuperJunction-MOSFET
●根据客户需求提供三种产品系列
●可以选择5种封装
系列 | 封装 | ||||
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表面贴装型 | 引脚插入型 | ||||
TO-252 [DPAK] |
LPTS [D2PAK] |
TO-220FM | TO-3PF | TO-247 | |
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|
低噪声 (600V/650V) |
R6xxxEND3 | R6xxxENJ | R6xxxENX | R6xxxENZ | R6xxxENZ4 |
高速开关 (600V/650V) |
R6xxxKND3 | R6xxxKNJ | R6xxxKNX | R6xxxKNZ | R6xxxKNZ4 |
高速开关 (800V) |
R80xxKND3 | R80xxKNX | R80xxKNZ4 | ||
内置高速开关 (PrestoMOSTM) |
R60xxJND3 | R60xxJNJ | R60xxJNX | R60xxJNZ | R60xxJNZ4 |
●在广泛的应用中都有采用,不仅在特性方面,还在质量和支持方面也受到了高度评价
简易搜索工具
何谓PrestoMOS
PrestoMOS是采用罗姆专利技术将SuperJunction-MOSFET的寄生二极管加速化的产品。通常,SuperJunction-MOSFET的寄生二极管因其特有的内部结构,比一般的MOSFET,恢复性能差。因此,以往SuperJunction-MOSFET不能用于使用寄生二极管的电路,如逆变器和桥式PFC电路。
PrestoMOS已加速寄生二极管,可以克服SuperJunction-MOSFET的弱点,有助于使用电机驱动用逆变器或桥式电路的应用大幅节能。

由于近年的来节能趋势,用PrestoMOS替代广泛用于逆变器的IGBT + FRD组合的例子正在增加。由于具有出色的恢复特性,有助于应用的节能。

- Double-pulse test substantiated advantages of PrestoMOS
1.53MB DOWNLOAD
- Benefits given by R60xxJNx series for the Phase-Shift Full-Bridge
2.03MB DOWNLOAD
第三代PrestoMOS R60xxJNx系列
Package | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|
TO252 | LPTS | TO220FM | TO3PFF | TO247 | ||
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||
Ron typ (mΩ) |
1100 | R6004JND3 | R6004JNJ | R6004JNX | ||
720 | R6006JND3 | R6006JNJ | R6006JNX | |||
600 | R6007JND3 | R6007JNJ | R6007JNX | |||
450 | R6009JND3 | R6009JNJ | R6009JNX | |||
350 | R6012JNJ | R6012JNX | ||||
220 | R6018JNJ | R6018JNX | ||||
180 | R6020JNJ | R6020JNX | R6020JNZ | R6020JNZ4 | ||
140 | R6025JNX | R6025JNZ | R6025JNZ4 | |||
110 | NEWR6030JNX | R6030JNZ | R6030JNZ4 | |||
90 | R6042JNZ4 | |||||
NEWR6050JNZ | NEWR6050JNZ4 | |||||
45 | NEWR6070JNZ4 |
☆:Under Development
特点①快速反向恢复特性
罗姆的PrestoMOS系列采用罗姆的专利技术,加快了寄生二极管的反应速度,因此具有快速反向恢复时间(trr)。 然而,由于二极管的高速工作,急剧的电流变化可能导致大振荡。
第3代PrestoMOS R60xxJNx系列,通过优化结构,反向恢复时不易引起振荡。这样可以简化客户的振荡对策。如果恢复时有振荡问题,请务必试用本产品。

特点②追求易用性
罗姆的PrestoMOS系列,适用于电机驱动用逆变器和桥式电路,这些电路需要高短路击穿耐受力和自导通抑制。
短路击穿耐受能力低时,MOSFET被击穿的可能性增加,如果发生自导通,则功率损耗变大。
第3代PrestoMOS R60xxJNx系列,通过调整内部结构,可以解决这两个问题。
与竞争对手的新一代产品相比,也能保证高短路击穿耐受力,可以更安全地使用。
而且,由于抑制了自导通,可以减少工作时的功率损耗。

罗姆的两种SuperJunction-MOSFET
提供两种类型的超级结MOSFET,即具有低噪声规格的R6xxxENx系列和具有高速开关规格的R6xxxxKNx系列,分别具有600V耐压和650V耐压,并且都具有多种封装类型。
R6xxxENx系列强调易用性,并在噪声应用中实现优异性能。
R6xxxKNx系列强调高效率,并在追求高速开关的应用中实现优异性能。
由于R6xxxENx系列和R6xxxKNx系列具有相同的导通电阻,因此可以选择适合客户应用的系列。
我们还提供符合高速开关规格的800V产品阵容,实现优异的性能。
- R60xxENx系列 SPICE模型 DOWNLOAD PAGE
- R65xxENx系列 SPICE模型 DOWNLOAD PAGE
- R60xxKNx系列 SPICE模型 DOWNLOAD PAGE
- R65xxKNx系列 SPICE模型 DOWNLOAD PAGE
- R80xxKNx系列 SPICE模型 DOWNLOAD PAGE
低噪声规格R60xxENx/R65xxENx系列
R6xxxENx系列是强调易用性的低噪声产品。
超级结MOSFET显著改善了传统平面MOSFET的导通电阻和开关性能,作为反作用,通常存在噪声特性劣化的问题。然而,R6xxxENx系列可以通过调整芯片内部的栅极结构,实现低噪声性能,并且可以抑制因噪声引起的损耗。
尤其适用于希望极力降低噪声的音响和照明等应用。
此外,由于低噪声性能与传统的平面MOSFET相同,因此可以轻松替换平面MOSFET。

VDS=600V | Package | |||||
---|---|---|---|---|---|---|
TO252 | LPTS | TO220FM | TO3PF | TO247 | ||
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||
Ron typ (mΩ) |
2800 | R6002END3 | ||||
900 | R6004END3 | R6004ENJ | R6004ENX | |||
570 | R6007END3 | R6007ENJ | R6007ENX | |||
500 | R6009END3 | R6009ENJ | R6009ENX | |||
340 | R6011END3 | R6011ENJ | R6011ENX | |||
260 | R6015ENJ | R6015ENX | R6015ENZ | |||
170 | R6020ENJ | R6020ENX | R6020ENZ | R6020ENZ4 | ||
150 | R6024ENJ | R6024ENX | R6024ENZ | ☆R6024ENZ4 | ||
115 | R6030ENX | R6030ENZ | R6030ENZ4 | |||
92 | R6035ENZ | R6035ENZ4 | ||||
66 | R6047ENZ4 | |||||
38 | R6076ENZ4 |
☆:Under Development
VDS=650V | Package | |||||
---|---|---|---|---|---|---|
TO252 | LPTS | TO220FM | TO3PF | TO247 | ||
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||
Ron typ (mΩ) |
3000 | ☆R6502END3 | ||||
955 | ☆R6504END3 | R6504ENJ | R6504ENX | |||
605 | ☆R6507END3 | R6507ENJ | R6507ENX | |||
530 | ☆R6509END3 | R6509ENJ | R6509ENX | |||
360 | ☆R6511END3 | R6511ENJ | R6511ENX | |||
280 | R6515ENJ | R6515ENX | R6515ENZ | |||
185 | R6520ENJ | R6520ENX | R6520ENZ | R6520ENZ4 | ||
160 | R6524ENJ | R6524ENX | R6524ENZ | R6524ENZ4 | ||
125 | R6530ENX | R6530ENZ | R6530ENZ4 | |||
98 | R6535ENZ | R6535ENZ4 | ||||
70 | R6547ENZ4 | |||||
40 | R6576ENZ4 |
☆:Under Development
高速开关规格R60xxKNx/R65xxKNx/R80xxKNx
R6xxxKNx系列是一款强调高效率的高速开关产品。
基于改良低噪声R6xxxENx系列的内部MOSFET结构,极大地改善了影响开关速度的GateCharge特性。因此R6xxxENx系列的易用性基本不变,就可通过高速开关实现高效率。
有助于实现PFC和LLC等电路的高效率。
我们还提供符合高速开关规格的800V产品阵容,实现优异的性能。

VDS=600V | Package | |||||
---|---|---|---|---|---|---|
TO252 | LPTS | TO220FM | TO3PF | TO247 | ||
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Ron typ (mΩ) |
1300 | R6003KND3 | ||||
900 | ☆R6004KND3 | R6004KNJ | R6004KNX | |||
720 | R6006KND3 | R6006KNJ | R6006KNX | |||
570 | ☆R6007KND3 | R6007KNJ | R6007KNX | |||
500 | ☆R6009KND3 | R6009KNJ | R6009KNX | |||
340 | R6011KND3 | R6011KNJ | R6011KNX | |||
260 | R6015KNJ | R6015KNX | R6015KNZ | |||
170 | R6020KNJ | R6020KNX | R6020KNZ | R6020KNZ4 | ||
150 | R6024KNJ | R6024KNX | R6024KNZ | R6024KNZ4 | ||
115 | R6030KNX | R6030KNZ | R6030KNZ4 | |||
92 | R6035KNZ | R6035KNZ4 | ||||
66 | R6047KNZ4 | |||||
38 | R6076KNZ4 |
☆:Under Development
VDS=650V | Package | |||||
---|---|---|---|---|---|---|
TO252 | LPTS | TO220FM | TO3PF | TO247 | ||
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Ron typ (mΩ) |
1400 | ☆R6503KND3 | ||||
955 | ☆R6504KND3 | R6504KNJ | R6504KNX | |||
605 | ☆R6507KND3 | R6507KNJ | R6507KNX | |||
530 | ☆R6509KND3 | R6509KNJ | R6509KNX | |||
360 | ☆R6511KND3 | R6511KNJ | R6511KNX | |||
280 | R6515KNJ | R6515KNX | R6515KNZ | |||
185 | R6520KNJ | R6520KNX | R6520KNZ | R6520KNZ4 | ||
160 | R6524KNJ | R6524KNX | R6524KNZ | R6524KNZ4 | ||
125 | R6530KNX | R6530KNZ | R6530KNZ4 | |||
98 | R6535KNZ | R6535KNZ4 | ||||
70 | R6547KNZ4 | |||||
40 | R6576KNZ4 |
☆:Under Development