SuperJunction MOSFET

罗姆的高压(600V~)功率MOSFET产品采用了超级结技术。 该技术实现了高速开关和低导通电阻,可以减少应用损耗。罗姆有低噪声和高速开关两类产品,可以根据客户的需求进行提案。此外,PrestoMOS™系列采用了罗姆的专利技术,内置了快速二极管,有助于电机和逆变器等节能。

推荐使用罗姆的SuperJunction-MOSFET的三个理由

  • ①根据客户需求提供三种产品系列
  • ②每种系列提供丰富的导通电阻和封装阵容
  • ③高性能、高品质、完善的支持体制

[新产品]600V耐压超级结 MOSFET “R60xxVNx系列”

ROHM的600V耐压Super Junction MOSFET“PrestoMOS™”拥有业界超快的反向恢复时间,非常适用于电动汽车充电桩、服务器和基站等需要大功率的工业设备的电源电路、以及空调等白色家电的电机驱动,此次,又新增了支持大功率应用的“R60xxVNx系列”7款机型。
除上述系列外,已实现高速开关和业界超低导通电阻的600V耐压Super Junction MOSFET“R60xxYNx 系列”中,也新增了2款机型。

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罗姆的SuperJunction-MOSFET

●更宽的耐压范围和更低的导通电阻

 500mΩ ≤ Ron typ.500mΩ  >  Ron typ.
 Active New!Active New!
800VR80xxKNx  R80xxKNx  
650VR65xxENx R65xxKNx  R65xxENx R65xxKNx Under
Planning
600VR60xxENx R60xxKNx Under
Development
R60xxENx R60xxKNx R60xxYNx
R60xxJNx Under
Development
R60xxJNx R60xxVNx
  • :低噪声规格
  • :高速开关规格
  • :内置高速二极管
  • :第4代通用型
  • :内置第4代高速二极管

●有6种封装选择

系列封装
表面贴装型引脚插入型
TO-252
[DPAK]
LPTS
[D2PAK]
TO-220ABTO-220FMTO-3PFTO-247
TO-252[DPAK] LPTS [D2PAK]TO-220ABTO-220FMTO-3PFTO-247
800VR80xxKND3  R80xxKNX R80xxKNZ4
650VR65xxEND3R65xxENJ R65xxENXR65xxENZR65xxENZ4
R65xxKND3R65xxKNJR65xxKNX3R65xxKNXR65xxKNZR65xxKNZ4
600V
Gen.4
New
R60xxYND3  R60xxYNX3 R60xxYNXR60xxYNZ R60xxYNZ4
R60xxVND3  R60xxVNX3R60xxVNX R60xxVNZ4
600V
Gen.3
R60xxEND3R60xxENJ R60xxENXR60xxENZR60xxENZ4
R60xxKND3R60xxKNJ R60xxKNXR60xxKNZR60xxKNZ4
R60xxJND3R60xxJNJ R60xxJNXR60xxJNZR60xxJNZ4
  • :低噪声规格
  • :高速开关规格
  • :内置高速二极管
  • :第4代 通用型
  • :内置第4代高速二极管PrestoMOS™

●在广泛的应用中都有采用,不仅在特性方面,还在质量和支持方面也受到了高度评价

在广泛的应用中都有采用,不仅在特性方面,还在质量和支持方面也受到了高度评价

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何谓PrestoMOS™

PrestoMOS™是采用罗姆专利技术将SuperJunction-MOSFET的寄生二极管加速化的产品。通常,SuperJunction-MOSFET的寄生二极管因其特有的内部结构,比一般的MOSFET,恢复性能差。因此,以往SuperJunction-MOSFET不能用于使用寄生二极管的电路,如逆变器和桥式PFC电路。
PrestoMOS™已加速寄生二极管,可以克服SuperJunction-MOSFET的弱点,有助于使用电机驱动用逆变器或桥式电路的应用大幅节能。

何谓PrestoMOS™

由于近年的来节能趋势,用PrestoMOS™替代广泛用于逆变器的IGBT + FRD组合的例子正在增加。由于具有出色的恢复特性,有助于应用的节能。

替换使用PrestoMOS™,实现节能!

第4代 PrestoMOS™ R60xxVNx系列

  
TO-252TO-220FMTO-220ABTO-247
VDS
(V)
Ron typ
(mΩ)
Vgs=15V
trr typ
(ns)
TO-252TO-220FMTO-220ABTO-247
60025065R6013VND3R6013VNX  
18068 NEWR6018VNX  
13080 NEWR6024VNXNEWR6024VNX3 
9592 NEWR6035VNXNEWR6035VNX3 
59112 R6055VNXR6055VNX3NEWR6055VNZ4
42125   NEWR6077VNZ4
22167   R60A4VNZ4

推荐应用

  • 电机驱动
  • 节能型白色家电
  • 充电桩
  • 太阳能电池功率调节器
  • 各种电源电路(LLC/图腾柱PFC/全桥)
推荐应用

业内出色的反向恢复特性

ROHM的PrestoMOS™系列采用ROHM自有的专利技术,提高了寄生二极管的反应速度,使关键特性——反向恢复时间(trr)达到了业界超快水平。通常,该特性会因微细化和升级换代而受损,但ROHM的第4代PrestoMOS™ R60xxVNx系列通过优化结构,在保持业界超快trr的同时,还改善了导通电阻等基本性能。 业界超快的trr特性可以降低电机和逆变器电路的开关损耗。双脉冲测试被广泛用作确认这些损耗的方法。(如欲了解双脉冲测试的概要,请参考《应用指南》。)下图是通过双脉冲测试确认单脉冲导通时的开关损耗的结果。从结果可以看出,ROHM的PrestoMOS™ R60xxVNx系列的导通损耗比ROHM以往产品和其他公司产品更低。下图是ROHM的PrestoMOS™ R60xxVNx系列实际用于同步整流升压电路时的效率确认结果。与上述双脉冲测试中确认的损耗关系类似,实机评测结果表明,R60xxVNx系列的损耗更低,效率更高。

  • ■双脉冲测试的开关损耗确认结果

    双脉冲测试的开关损耗确认结果
    * 用于开关比较的产品均为导通电阻100mΩ级的产品,确认它们在漏极电流为15A的条件下改变栅极电阻后导通时的开关损耗。曲线图的横轴使用的是与各栅极电阻对应的导通时的电流变化量dif/dt的值。
  • ■使用同步整流升压电路的效率比较结果

    使用同步整流升压电路的效率比较结果
    * 所有用于实机对比的产品均为导通电阻60mΩ级的产品,在环境温度25℃、输入电压220V、输出电压400V、L=500μH、频率70kHz、关断时的VDS过冲条件下,对它们进行了测试。

可以实现高耐压和低导通电阻的超级结结构,通过结构的进一步微细化可提高性能。
通过结构的微细化提高了电流密度,与以往产品(R60xxKNx)相比,成功地将性能指数Ron・A降低了35%,将Ron・Qgd降低了30%。因此,在导通电阻与以往产品相同的情况下,可以进一步降低开关损耗,有助于应用产品更加节能。

  • 以往结构 新结构
  • 比以往的高速开关型产品还要快!

第4代 Super junction MOSFET R60xxYNx系列

 Package
TO-252TO-220FMTO-220ABTO-3PFTO-247TOLL
VDS
(V)
Ron typ
(mΩ)
Vgs=15V
TO-252TO-220FMTO-220ABTO-247To-3PFTOLL
600324R6010YND3R6010YNXR6010YNX3   
215R6014YND3NEWR6014YNXR6014YNX3   
154 NEWR6020YNXR6014YNX3 R6020YNZ4R6020YNJ2
137 R6022YNXR6022YNX3 R6022YNZ4R6022YNJ2
112 R6027YNXR6027YNX3 R6027YNZ4R6027YNJ2
80 R6038YNXR6038YNX3 R6038YNZ4R6038YNJ2
68 R6049YNXR6049YNX3 R6049YNZ4R6049YNJ2
50 R6061YNXR6061YNX3 R6061YNZ4 
49     R6063YNJ2
36   R6089YNX3R6086YNZ4 
21    R60A4YNZ4 

推荐应用

・电视机
・服务器
・UPS
・光伏功率调节器
・LED照明
・各种电源电路(BoostPFC [BCM,CCM] /三相ViennaPFC)

推荐应用

业界超快的开关速度

不仅更加微细化,还通过优化结构实现了业界超快的开关速度,有助于在电流连续模式下的PFC等硬开关型电路中实现更高效率。此外,在热设计和噪声设计过程中调整栅极电阻时,与其他公司产品相比,依然保持优势。

■产品单体的开关损耗

  • 产品单体的开关损耗
  • ・测试电路

    测试电路
    *比较用的产品均为导通电阻50mΩ级的产品。在漏极电流为10A的条件下,确认关断时的栅极电阻固定为5Ω、且改变导通时的栅极电阻时的开关损耗。

与以往产品相比,阵容更加丰富!

对于每种封装,均能提供比以往产品导通电阻更低和支持电流更大的产品。此外,通过在产品阵容中增加TO220AB和TOLL封装产品,将能够进一步满足客户的多样化需求。

  • ■每种封装的最小导通电阻值大范围更新

    每种封装的最小导通电阻值大范围更新
  • ■产品阵容中新增TOLL封装产品

    产品阵容中新增TOLL封装产品

低噪声规格/高速开关规格

提供两种类型的超级结MOSFET,即具有低噪声规格的R6xxxENx系列和具有高速开关规格的R6xxxxKNx系列,分别具有600V耐压和650V耐压,并且都具有多种封装类型。
R6xxxENx系列强调易用性,并在噪声应用中实现优异性能。
R6xxxKNx系列强调高效率,并在追求高速开关的应用中实现优异性能。
由于R6xxxENx系列和R6xxxKNx系列具有相同的导通电阻,因此可以选择适合客户应用的系列。
我们还提供符合高速开关规格的800V产品阵容,实现优异的性能。

低噪声规格R60xxENx/R65xxENx系列

R6xxxENx系列是强调易用性的低噪声产品。
超级结MOSFET显著改善了传统平面MOSFET的导通电阻和开关性能,作为反作用,通常存在噪声特性劣化的问题。然而,R6xxxENx系列可以通过调整芯片内部的栅极结构,实现低噪声性能,并且可以抑制因噪声引起的损耗。
尤其适用于希望极力降低噪声的音响和照明等应用。
此外,由于低噪声性能与传统的平面MOSFET相同,因此可以轻松替换平面MOSFET。

低噪声规格R60xxENx/R65xxENx系列
VDS=600VPackage
TO252LPTSTO220FMTO3PFTO247
TO252LPTSTO220FMTO3PFTO247
Ron typ
(mΩ)
2800R6002END3    
900R6004END3R6004ENJR6004ENX  
570R6007END3R6007ENJR6007ENX  
500R6009END3R6009ENJR6009ENX  
340R6011END3R6011ENJR6011ENX  
260 R6015ENJR6015ENXR6015ENZ 
170 R6020ENJR6020ENXR6020ENZR6020ENZ4
150 R6024ENJR6024ENXR6024ENZR6024ENZ4
115  R6030ENXR6030ENZR6030ENZ4
92   R6035ENZR6035ENZ4
66    R6047ENZ4
38    R6076ENZ4

☆:Under Development

VDS=650VPackage
TO252LPTSTO220FMTO3PFTO247
TO252LPTSTO220FMTO3PFTO247
Ron typ
(mΩ)
3000R6502END3    
955R6504END3R6504ENJR6504ENX  
605R6507END3R6507ENJR6507ENX  
530R6509END3R6509ENJR6509ENX  
360R6511END3R6511ENJR6511ENX  
280 R6515ENJR6515ENXR6515ENZ 
185 R6520ENJR6520ENXR6520ENZR6520ENZ4
160 R6524ENJR6524ENXR6524ENZR6524ENZ4
125  R6530ENXR6530ENZR6530ENZ4
98   R6535ENZR6535ENZ4
70    R6547ENZ4
40    R6576ENZ4

☆:Under Development

高速开关规格R60xxKNx/R65xxKNx/R80xxKNx

R6xxxKNx系列是一款强调高效率的高速开关产品。
基于改良低噪声R6xxxENx系列的内部MOSFET结构,极大地改善了影响开关速度的GateCharge特性。因此R6xxxENx系列的易用性基本不变,就可通过高速开关实现高效率。
有助于实现PFC和LLC等电路的高效率。
我们还提供符合高速开关规格的800V产品阵容,实现优异的性能。

高速开关规格R60xxKNx/R65xxKNx
VDS=600VPackage
TO252LPTSTO220FMTO3PFTO247
TO252LPTSTO220FMTO3PFTO247
Ron typ
(mΩ)
1300R6003KND3    
900R6004KND3R6004KNJR6004KNX  
720R6006KND3R6006KNJR6006KNX  
570R6007KND3R6007KNJR6007KNX  
500R6009KND3R6009KNJR6009KNX  
340R6011KND3R6011KNJR6011KNX  
260 R6015KNJR6015KNXR6015KNZ 
170 R6020KNJR6020KNXR6020KNZR6020KNZ4
150 R6024KNJR6024KNXR6024KNZR6024KNZ4
115  R6030KNXR6030KNZR6030KNZ4
92   R6035KNZR6035KNZ4
66    R6047KNZ4
38    R6076KNZ4

☆:Under Development

VDS=650VPackage
TO252LPTSTO220FMTO3PFTO247
TO252LPTSTO220FMTO3PFTO247
Ron typ
(mΩ)
1400R6503KND3    
955R6504KND3R6504KNJR6504KNX  
605R6507KND3R6507KNJR6507KNX  
530R6509KND3R6509KNJR6509KNX  
360R6511KND3R6511KNJR6511KNX  
280 R6515KNJR6515KNXR6515KNZ 
185 R6520KNJR6520KNXR6520KNZR6520KNZ4
160 R6524KNJR6524KNXR6524KNZR6524KNZ4
125  R6530KNXR6530KNZR6530KNZ4
98   R6535KNZR6535KNZ4
70    R6547KNZ4
40    R6576KNZ4

☆:Under Development

VDS=800VPackage
TO252TO220FMTO247
TO252TO220FMTO247
Ron typ
(mΩ)
7200R8001KND3  
3500NEWR8002KND3R8002KNX 
1500NEWR8003KND3R8003KNX 
750NEWR8006KND3NEWR8006KNX 
500 NEWR8009KNX 
370 NEWR8011KNXR8011KNZ4
200 R8019KNXR8019KNZ4
80  R8052KNZ4

☆:Under Development

第三代PrestoMOS™ R60xxJNx系列

 Package
TO252LPTSTO220FMTO3PFFTO247
TO252LPTSTO220FMTO3PFTO247
Ron typ
(mΩ)
1100R6004JND3R6004JNJR6004JNX  
720R6006JND3R6006JNJR6006JNX  
600R6007JND3R6007JNJR6007JNX  
450R6009JND3R6009JNJR6009JNX  
350 R6012JNJR6012JNX  
220 R6018JNJR6018JNX  
180 R6020JNJR6020JNXR6020JNZR6020JNZ4
140  R6025JNXR6025JNZR6025JNZ4
110  NEWR6030JNXR6030JNZR6030JNZ4
90    R6042JNZ4
    NEWR6050JNZNEWR6050JNZ4
45    NEWR6070JNZ4

☆:Under Development

特点① 快速反向恢复特性

罗姆的PrestoMOS™系列采用罗姆的专利技术,加快了寄生二极管的反应速度,因此具有快速反向恢复时间(trr)。 然而,由于二极管的高速工作,急剧的电流变化可能导致大振荡。
第3代PrestoMOS™ R60xxJNx系列,通过优化结构,反向恢复时不易引起振荡。这样可以简化客户的振荡对策。如果恢复时有振荡问题,请务必试用本产品。

特点①快速反向恢复特性

特点② 追求易用性

罗姆的PrestoMOS™系列,适用于电机驱动用逆变器和桥式电路,这些电路需要高短路击穿耐受力和自导通抑制。
短路击穿耐受能力低时,MOSFET被击穿的可能性增加,如果发生自导通,则功率损耗变大。
第3代PrestoMOS™ R60xxJNx系列,通过调整内部结构,可以解决这两个问题。
与竞争对手的新一代产品相比,也能保证高短路击穿耐受力,可以更安全地使用。
而且,由于抑制了自导通,可以减少工作时的功率损耗。

特点②追求易用性