SuperJunction MOSFET

罗姆的高压（600V～）功率MOSFET产品采用了超级结技术。 该技术实现了高速开关和低导通电阻，可以减少应用损耗。罗姆有低噪声和高速开关两类产品，可以根据客户的需求进行提案。此外，PrestoMOS™系列采用了罗姆的专利技术，内置了快速二极管，有助于电机和逆变器等节能。

推荐使用罗姆的SuperJunction-MOSFET的三个理由

  • ①根据客户需求提供三种产品系列
  • ②每种系列提供丰富的导通电阻和封装阵容
  • ③高性能、高品质、完善的支持体制

[新产品]600V耐压超级结 MOSFET “R60xxVNx系列”

ROHM的600V耐压Super Junction MOSFET“PrestoMOS™”拥有业界超快的反向恢复时间，非常适用于电动汽车充电桩、服务器和基站等需要大功率的工业设备的电源电路、以及空调等白色家电的电机驱动，此次，又新增了支持大功率应用的“R60xxVNx系列”7款机型。
除上述系列外，已实现高速开关和业界超低导通电阻的600V耐压Super Junction MOSFET“R60xxYNx 系列”中，也新增了2款机型。

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罗姆的SuperJunction-MOSFET

●更宽的耐压范围和更低的导通电阻

 500mΩ　≤　Ron typ.500mΩ　 ＞ 　Ron typ.
 Active New!Active New!
800VR80xxKNx  R80xxKNx  
650VR65xxENx R65xxKNx  R65xxENx R65xxKNx Under
Planning
600VR60xxENx R60xxKNx Under
Development		R60xxENx R60xxKNx R60xxYNx
R60xxJNx Under
Development		R60xxJNx R60xxVNx
  • ：低噪声规格
  • ：高速开关规格
  • ：内置高速二极管
  • ：第4代通用型
  • ：内置第4代高速二极管

●有6种封装选择

系列封装
表面贴装型引脚插入型
TO-252
[DPAK]		LPTS
[D2PAK]		TO-220ABTO-220FMTO-3PFTO-247
TO-252[DPAK] LPTS [D2PAK]TO-220ABTO-220FMTO-3PFTO-247
800VR80xxKND3  R80xxKNX R80xxKNZ4
650VR65xxEND3R65xxENJ R65xxENXR65xxENZR65xxENZ4
R65xxKND3R65xxKNJR65xxKNX3R65xxKNXR65xxKNZR65xxKNZ4
600V
Gen.4
New		R60xxYND3  R60xxYNX3 R60xxYNXR60xxYNZ R60xxYNZ4
R60xxVND3  R60xxVNX3R60xxVNXR60xxVNZR60xxVNZ4
600V
Gen.3		R60xxEND3R60xxENJ R60xxENXR60xxENZR60xxENZ4
R60xxKND3R60xxKNJ R60xxKNXR60xxKNZR60xxKNZ4
R60xxJND3R60xxJNJ R60xxJNXR60xxJNZR60xxJNZ4
  • ：低噪声规格
  • ：高速开关规格
  • ：内置高速二极管
  • ：第4代 通用型
  • ：内置第4代高速二极管PrestoMOS™

●在广泛的应用中都有采用，不仅在特性方面，还在质量和支持方面也受到了高度评价

在广泛的应用中都有采用，不仅在特性方面，还在质量和支持方面也受到了高度评价

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何谓PrestoMOS™

PrestoMOS™是采用罗姆专利技术将SuperJunction-MOSFET的寄生二极管加速化的产品。通常，SuperJunction-MOSFET的寄生二极管因其特有的内部结构，比一般的MOSFET，恢复性能差。因此，以往SuperJunction-MOSFET不能用于使用寄生二极管的电路，如逆变器和桥式PFC电路。
PrestoMOS™已加速寄生二极管，可以克服SuperJunction-MOSFET的弱点，有助于使用电机驱动用逆变器或桥式电路的应用大幅节能。

何谓PrestoMOS™

由于近年的来节能趋势，用PrestoMOS™替代广泛用于逆变器的IGBT + FRD组合的例子正在增加。由于具有出色的恢复特性，有助于应用的节能。

替换使用PrestoMOS™，实现节能！

第4代 PrestoMOS™ R60xxVNx系列

  
TO-252TO-220FMTO-220ABTO-3PFTO-247
VDS
(V)		Ron typ
(mΩ)
Vgs=15V		trr typ
(ns)		TO-252TO-220FMTO-220ABTo-3PF TO-247
60025065R6013VND3R6013VNX   
17068 NEWR6018VNX   
12780 NEWR6024VNXNEWR6024VNX3  
9592 NEWR6035VNXNEWR6035VNX3  
59112 R6055VNX☆R6055VNX3NEWR6055VNZNEWR6055VNZ4
42125   NEWR6077VNZNEWR6077VNZ4
22167    ☆R60A4VNZ4

推荐应用

  • 电机驱动
  • 节能型白色家电
  • 充电桩
  • 太阳能电池功率调节器
  • 各种电源电路（LLC/图腾柱PFC/全桥）
推荐应用

业内出色的反向恢复特性

ROHM的PrestoMOS™系列采用ROHM自有的专利技术，提高了寄生二极管的反应速度，使关键特性——反向恢复时间（trr）达到了业界超快水平。通常，该特性会因微细化和升级换代而受损，但ROHM的第4代PrestoMOS™ R60xxVNx系列通过优化结构，在保持业界超快trr的同时，还改善了导通电阻等基本性能。 业界超快的trr特性可以降低电机和逆变器电路的开关损耗。双脉冲测试被广泛用作确认这些损耗的方法。（如欲了解双脉冲测试的概要，请参考《应用指南》。）下图是通过双脉冲测试确认单脉冲导通时的开关损耗的结果。从结果可以看出，ROHM的PrestoMOS™ R60xxVNx系列的导通损耗比ROHM以往产品和其他公司产品更低。下图是ROHM的PrestoMOS™ R60xxVNx系列实际用于同步整流升压电路时的效率确认结果。与上述双脉冲测试中确认的损耗关系类似，实机评测结果表明，R60xxVNx系列的损耗更低，效率更高。

  • ■双脉冲测试的开关损耗确认结果

    双脉冲测试的开关损耗确认结果
    * 用于开关比较的产品均为导通电阻100mΩ级的产品，确认它们在漏极电流为15A的条件下改变栅极电阻后导通时的开关损耗。曲线图的横轴使用的是与各栅极电阻对应的导通时的电流变化量dif/dt的值。

  • ■使用同步整流升压电路的效率比较结果

    使用同步整流升压电路的效率比较结果
    * 所有用于实机对比的产品均为导通电阻60mΩ级的产品，在环境温度25℃、输入电压220V、输出电压400V、L=500μH、频率70kHz、关断时的VDS过冲条件下，对它们进行了测试。

可以实现高耐压和低导通电阻的超级结结构，通过结构的进一步微细化可提高性能。
通过结构的微细化提高了电流密度，与以往产品（R60xxKNx）相比，成功地将性能指数Ron・A降低了35%，将Ron・Qgd降低了30%。因此，在导通电阻与以往产品相同的情况下，可以进一步降低开关损耗，有助于应用产品更加节能。

  • 以往结构 新结构
  • 比以往的高速开关型产品还要快！

第4代 Super junction MOSFET R60xxYNx系列

 Package
TO-252TO-220FMTO-220ABTO-3PFTO-247TOLL
VDS
(V)		Ron typ
(mΩ)
Vgs=15V		TO-252TO-220FMTO-220ABTO-247To-3PFTOLL
600324☆R6010YND3☆R6010YNX☆R6010YNX3   
215☆R6014YND3NEWR6014YNX☆R6014YNX3   
154 NEWR6020YNX☆R6014YNX3 ☆R6020YNZ4☆R6020YNJ2
137 ☆R6022YNX☆R6022YNX3 ☆R6022YNZ4☆R6022YNJ2
112 ☆R6027YNX☆R6027YNX3 ☆R6027YNZ4☆R6027YNJ2
80 ☆R6038YNX☆R6038YNX3 ☆R6038YNZ4☆R6038YNJ2
68 ☆R6049YNX☆R6049YNX3 ☆R6049YNZ4☆R6049YNJ2
50 ☆R6061YNX☆R6061YNX3 ☆R6061YNZ4 
49     ☆R6063YNJ2
36   ☆R6089YNX3☆R6086YNZ4 
21    ☆R60A4YNZ4 

推荐应用

・电视机
・服务器
・UPS
・光伏功率调节器
・LED照明
・各种电源电路（BoostPFC [BCM,CCM] /三相ViennaPFC）

推荐应用

业界超快的开关速度

不仅更加微细化，还通过优化结构实现了业界超快的开关速度，有助于在电流连续模式下的PFC等硬开关型电路中实现更高效率。此外，在热设计和噪声设计过程中调整栅极电阻时，与其他公司产品相比，依然保持优势。

■产品单体的开关损耗

  • 产品单体的开关损耗

  • ・测试电路

    测试电路
    *比较用的产品均为导通电阻50mΩ级的产品。在漏极电流为10A的条件下，确认关断时的栅极电阻固定为5Ω、且改变导通时的栅极电阻时的开关损耗。

与以往产品相比，阵容更加丰富！

对于每种封装，均能提供比以往产品导通电阻更低和支持电流更大的产品。此外，通过在产品阵容中增加TO220AB和TOLL封装产品，将能够进一步满足客户的多样化需求。

  • ■每种封装的最小导通电阻值大范围更新

    每种封装的最小导通电阻值大范围更新

  • ■产品阵容中新增TOLL封装产品

    产品阵容中新增TOLL封装产品

低噪声规格/高速开关规格

提供两种类型的超级结MOSFET，即具有低噪声规格的R6xxxENx系列和具有高速开关规格的R6xxxxKNx系列，分别具有600V耐压和650V耐压，并且都具有多种封装类型。
R6xxxENx系列强调易用性，并在噪声应用中实现优异性能。
R6xxxKNx系列强调高效率，并在追求高速开关的应用中实现优异性能。
由于R6xxxENx系列和R6xxxKNx系列具有相同的导通电阻，因此可以选择适合客户应用的系列。
我们还提供符合高速开关规格的800V产品阵容，实现优异的性能。

低噪声规格R60xxENx/R65xxENx系列

R6xxxENx系列是强调易用性的低噪声产品。
超级结MOSFET显著改善了传统平面MOSFET的导通电阻和开关性能，作为反作用，通常存在噪声特性劣化的问题。然而，R6xxxENx系列可以通过调整芯片内部的栅极结构，实现低噪声性能，并且可以抑制因噪声引起的损耗。
尤其适用于希望极力降低噪声的音响和照明等应用。
此外，由于低噪声性能与传统的平面MOSFET相同，因此可以轻松替换平面MOSFET。

低噪声规格R60xxENx/R65xxENx系列
VDS=600VPackage
TO252LPTSTO220FMTO3PFTO247
TO252LPTSTO220FMTO3PFTO247
Ron typ
(mΩ)		2800R6002END3    
900R6004END3R6004ENJR6004ENX  
570R6007END3R6007ENJR6007ENX  
500R6009END3R6009ENJR6009ENX  
340R6011END3R6011ENJR6011ENX  
260 R6015ENJR6015ENXR6015ENZ 
170 R6020ENJR6020ENXR6020ENZR6020ENZ4
150 R6024ENJR6024ENXR6024ENZ☆R6024ENZ4
115  R6030ENXR6030ENZR6030ENZ4
92   R6035ENZR6035ENZ4
66    R6047ENZ4
38    R6076ENZ4

☆：Under Development

VDS=650VPackage
TO252LPTSTO220FMTO3PFTO247
TO252LPTSTO220FMTO3PFTO247
Ron typ
(mΩ)		3000☆R6502END3    
955☆R6504END3R6504ENJR6504ENX  
605☆R6507END3R6507ENJR6507ENX  
530☆R6509END3R6509ENJR6509ENX  
360☆R6511END3R6511ENJR6511ENX  
280 R6515ENJR6515ENXR6515ENZ 
185 R6520ENJR6520ENXR6520ENZR6520ENZ4
160 R6524ENJR6524ENXR6524ENZR6524ENZ4
125  R6530ENXR6530ENZR6530ENZ4
98   R6535ENZR6535ENZ4
70    R6547ENZ4
40    R6576ENZ4

☆：Under Development

高速开关规格R60xxKNx/R65xxKNx/R80xxKNx

R6xxxKNx系列是一款强调高效率的高速开关产品。
基于改良低噪声R6xxxENx系列的内部MOSFET结构，极大地改善了影响开关速度的GateCharge特性。因此R6xxxENx系列的易用性基本不变，就可通过高速开关实现高效率。
有助于实现PFC和LLC等电路的高效率。
我们还提供符合高速开关规格的800V产品阵容，实现优异的性能。

高速开关规格R60xxKNx/R65xxKNx
VDS=600VPackage
TO252LPTSTO220FMTO3PFTO247
TO252LPTSTO220FMTO3PFTO247
Ron typ
(mΩ)		1300R6003KND3    
900☆R6004KND3R6004KNJR6004KNX  
720R6006KND3R6006KNJR6006KNX  
570☆R6007KND3R6007KNJR6007KNX  
500☆R6009KND3R6009KNJR6009KNX  
340R6011KND3R6011KNJR6011KNX  
260 R6015KNJR6015KNXR6015KNZ 
170 R6020KNJR6020KNXR6020KNZR6020KNZ4
150 R6024KNJR6024KNXR6024KNZR6024KNZ4
115  R6030KNXR6030KNZR6030KNZ4
92   R6035KNZR6035KNZ4
66    R6047KNZ4
38    R6076KNZ4

☆：Under Development

VDS=650VPackage
TO252LPTSTO220FMTO3PFTO247
TO252LPTSTO220FMTO3PFTO247
Ron typ
(mΩ)		1400☆R6503KND3    
955☆R6504KND3R6504KNJR6504KNX  
605☆R6507KND3R6507KNJR6507KNX  
530☆R6509KND3R6509KNJR6509KNX  
360☆R6511KND3R6511KNJR6511KNX  
280 R6515KNJR6515KNXR6515KNZ 
185 R6520KNJR6520KNXR6520KNZR6520KNZ4
160 R6524KNJR6524KNXR6524KNZR6524KNZ4
125  R6530KNXR6530KNZR6530KNZ4
98   R6535KNZR6535KNZ4
70    R6547KNZ4
40    R6576KNZ4

☆：Under Development

VDS=800VPackage
TO252TO220FMTO247
TO252TO220FMTO247
Ron typ
(mΩ)		7200☆R8001KND3  
3500NEWR8002KND3☆R8002KNX 
1500NEWR8003KND3☆R8003KNX 
750NEWR8006KND3NEWR8006KNX 
500 NEWR8009KNX 
370 NEWR8011KNX☆R8011KNZ4
200 ☆R8019KNX☆R8019KNZ4
80  ☆R8052KNZ4

☆：Under Development

第三代PrestoMOS™ R60xxJNx系列

 Package
TO252LPTSTO220FMTO3PFFTO247
TO252LPTSTO220FMTO3PFTO247
Ron typ
(mΩ)		1100R6004JND3R6004JNJR6004JNX  
720R6006JND3R6006JNJR6006JNX  
600R6007JND3R6007JNJR6007JNX  
450R6009JND3R6009JNJR6009JNX  
350 R6012JNJR6012JNX  
220 R6018JNJR6018JNX  
180 R6020JNJR6020JNXR6020JNZR6020JNZ4
140  R6025JNXR6025JNZR6025JNZ4
110  NEWR6030JNXR6030JNZR6030JNZ4
90    R6042JNZ4
    NEWR6050JNZNEWR6050JNZ4
45    NEWR6070JNZ4

☆：Under Development

特点① 快速反向恢复特性

罗姆的PrestoMOS™系列采用罗姆的专利技术，加快了寄生二极管的反应速度，因此具有快速反向恢复时间（trr）。 然而，由于二极管的高速工作，急剧的电流变化可能导致大振荡。
第3代PrestoMOS™ R60xxJNx系列，通过优化结构，反向恢复时不易引起振荡。这样可以简化客户的振荡对策。如果恢复时有振荡问题，请务必试用本产品。

特点①快速反向恢复特性

特点② 追求易用性

罗姆的PrestoMOS™系列，适用于电机驱动用逆变器和桥式电路，这些电路需要高短路击穿耐受力和自导通抑制。
短路击穿耐受能力低时，MOSFET被击穿的可能性增加，如果发生自导通，则功率损耗变大。
第3代PrestoMOS™ R60xxJNx系列，通过调整内部结构，可以解决这两个问题。
与竞争对手的新一代产品相比，也能保证高短路击穿耐受力，可以更安全地使用。
而且，由于抑制了自导通，可以减少工作时的功率损耗。

特点②追求易用性