PrestoMOS是采用罗姆专利技术将SuperJunction-MOSFET的寄生二极管加速化的产品。通常，SuperJunction-MOSFET的寄生二极管因其特有的内部结构，比一般的MOSFET，恢复性能差。因此，以往SuperJunction-MOSFET不能用于使用寄生二极管的电路，如逆变器和桥式PFC电路。
PrestoMOS已加速寄生二极管，可以克服SuperJunction-MOSFET的弱点，有助于使用电机驱动用逆变器或桥式电路的应用大幅节能。

由于近年的来节能趋势，用PrestoMOS替代广泛用于逆变器的IGBT + FRD组合的例子正在增加。由于具有出色的恢复特性，有助于应用的节能。

罗姆的PrestoMOS系列采用罗姆的专利技术，加快了寄生二极管的反应速度，因此具有快速反向恢复时间（trr）。 然而，由于二极管的高速工作，急剧的电流变化可能导致大振荡。
第3代PrestoMOS R60xxJNx系列，通过优化结构，反向恢复时不易引起振荡。这样可以简化客户的振荡对策。如果恢复时有振荡问题，请务必试用本产品。

罗姆的PrestoMOS系列，适用于电机驱动用逆变器和桥式电路，这些电路需要高短路击穿耐受力和自导通抑制。
短路击穿耐受能力低时，MOSFET被击穿的可能性增加，如果发生自导通，则功率损耗变大。
第3代PrestoMOS R60xxJNx系列，通过调整内部结构，可以解决这两个问题。
与竞争对手的新一代产品相比，也能保证高短路击穿耐受力，可以更安全地使用。
而且，由于抑制了自导通，可以减少工作时的功率损耗。

R6xxxENx系列是强调易用性的低噪声产品。
超级结MOSFET显著改善了传统平面MOSFET的导通电阻和开关性能，作为反作用，通常存在噪声特性劣化的问题。然而，R6xxxENx系列可以通过调整芯片内部的栅极结构，实现低噪声性能，并且可以抑制因噪声引起的损耗。
尤其适用于希望极力降低噪声的音响和照明等应用。
此外，由于低噪声性能与传统的平面MOSFET相同，因此可以轻松替换平面MOSFET。

R6xxxKNx系列是一款强调高效率的高速开关产品。
基于改良低噪声R6xxxENx系列的内部MOSFET结构，极大地改善了影响开关速度的GateCharge特性。因此R6xxxENx系列的易用性基本不变，就可通过高速开关实现高效率。
有助于实现PFC和LLC等电路的高效率。