RV8L002SNHZG
高安装可靠性 DFN1010, Nch 60V 250mA, 车载用小信号MOSFET

RV8L002SNHZG是具有较高安装可靠性的车载用超小型MOSFET,利用先进的Wettable Flank成型技术确保封装侧面电极部分的高度为125μm。采用底部电极结构的封装确保稳定的焊接品质,使部件安装后焊接状态的自动光学检查(AOI)更准确。有助于车载ECU和ADAS相机模块等车载部件的小型化。适合用于高边负载开关、开关电路、继电器驱动器。

主要规格

 
型号 | RV8L002SNHZGG2CR
Status | 推荐品
封装 | DFN1010-3W (Wettable Flank)
包装数量 | 8000
最小独立包装数量 | 8000
包装形态 | Taping
RoHS | Yes

特性:

Grade

Automotive

Common Standard

AEC-Q101 (Automotive Grade)

Package Code

DFN1010-3W

Package Size [mm]

1x1 (t=0.45)

Number of terminal

3

Polarity

Nch

Drain-Source Voltage VDSS[V]

60

Drain Current ID[A]

0.25

RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ.)

3.0

RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.)

2.3

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)

2.1

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)

1.7

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

3.0

Power Dissipation (PD)[W]

1.0

Drive Voltage[V]

2.5

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min.)[°C]

-55

Storage Temperature (Max.)[°C]

150

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特点:

  • Leadless ultra small and exposed drain pad for excellent thermal conduction SMD plastic package (1.0×1.0×0.4mm)
  • Side wettable Flanks for automated optical solder inspection (AOI). Tin-plated 100% solderable side pads guarantees Min.125µm
  • AEC-Q101 qualified
  • ESD protection up to 2kV (HBM)
  • Very fast switching
  • Ultra low voltage drive (2.5V drive)

概要

 

产品概要

新产品采用融入ROHM自有工艺方法的Wettable Flank成型技术※1,以1.0mm×1.0mm的尺寸,保证了封装侧面电极部分125μm的高度,属于业内较高水平。经自动光学检查(以下简称“AOI”※2),在追求品质的车载相关设备上安装重要元器件后会实施该检查)确认,实现了非常出色的焊接可靠性。另外,通常小型化和高散热性之间存在着矛盾权衡关系,采用底部电极结构的新封装同时兼顾了小型化与高散热性,非常适用于电路板高密度化的车载ECU和高级驾驶辅助系统(ADAS)等相关设备。

背景

近年来,随着汽车电子化进程的加速,一台汽车中使用的电子元器件和半导体元器件数量呈增多趋势。因此,需要在有限的空间里安装更多的元器件,安装密度越来越高。例如,1个车载ECU中的半导体和积层陶瓷电容器的平均搭载数量,预计到2025年将从2019年的186个增加至230个,增加近3成。为了满足安装密度越来越高的车载应用的需求,市场对小型化的要求也越来越高,因此能够兼顾小型和高散热性的底部电极封装形式开始受到青睐。
另一方面,对于车载元器件,为确保可靠性,虽然会在安装元器件后实施AOI,但由于底部电极封装只在底部有电极,故无法确认焊接状态,进行车载标准的AOI有一定难度。

(※截至2020年9月29日据ROHM调查)

特点

1.利用融入ROHM自有工艺方法的Wettable Flank成型技术,保证封装侧面电极部分125μm的高度

采用传统技术的底部电极封装,因其无法在引线框架侧面进行电镀加工,无法确保车载所需的焊料高度,难以实施AOI。新产品采用ROHM自有的 Wettable Flank成型技术, 实现达到引线框架上限的电镀加工,以1.0mm×1.0mm的尺寸,保证封装侧面电极部分高度达125μm。即使是底部电极封装,也可实现稳定的焊接圆角,通过元器件安装后的AOI可切实确认焊接状态。

保证封装侧面电极部分125μm的高度

2.替换为超小型、高散热性的MOSFET,可应对电路板的高密度化

新产品尺寸仅为1.0mm×1.0mm(DFN1010封装),却实现了与2.9mm×2.4mm尺寸(SOT-23封装)同等的性能,可削减安装面积达85%左右。不仅如此,通过采用散热性能优异的底部电极,与SOT-23封装相比,可将通常因体积缩小而降低的散热性提高65%。新产品兼顾了小型化与高散热性,非常适用于随功能增加,电路板日益高密度化的车载ECU和ADAS相关设备等应用。

兼顾了小型化与高散热性

产品阵容

产品名称 极性
[ch]
漏极-源极间耐压
VDSS
[V]
漏极电流
ID
[A]
驱动电压
[V]
漏极-源极间导通电阻RDS(on)[mΩ]
@VGS=10V @VGS=4.5V @VGS=4.0V @VGS=2.5V @VGS=1.8V @VGS=1.5V @VGS=1.2V
Typ. Max. Typ. Max. Typ. Max. Typ. Max. Typ. Max. Typ. Max. Typ. Max.

RV8C010UN
N 20 1.0 1.2 - - 340 470 - - 400 560 470 650 540 810 700 1050

RV8L002SN
N 60 0.25 2.5 1700 2400 2100 3000 2300 3200 3000 12000 - - - - - -

BSS84X
P -60 -0.25 -4.5 2800 5300 3500 6400 - - - - - - - - - -

应用示例

可作为开关应用和反接保护应用中的通用产品使用

  • 自动驾驶控制ECU
  • 引擎控制ECU
  • ADAS相关设备
  • 车载信息娱乐系统
  • 行车记录仪

术语解说

※1)Wettable Flank成型技术
在QFN和DFN等底部电极封装的引线框架侧面进行电镀加工的技术。可提高焊接可靠性。

※2)AOI(Automated Optical Inspection)
通过摄像头扫描安装电路板,自动检查元器件缺失、品质缺陷及焊接状态等情况。