SiC（碳化硅）MOSFET
SiC MOSFET原理上在开关过程中不会产生拖尾尾电流，可高速运行且开关损耗低。低导通电阻和小型芯片尺寸造就较低的电容和栅极电荷。此外，SiC还具有如导通电阻增加量很小的优异的材料属性，并且有比导通电阻可能随着温度的升高而上升2倍以上的硅（Si）器件更优异的封装微型化和节能的优点。
第4代SiC MOSFET
新推出的第4代SiC MOSFET，在改善短路耐受时间的前提下实现了业内超低导通电阻。另外，还具有低开关损耗和支持15V栅-源电压等特点，有助于设备进一步节能。
SiC MOSFET、SiC SBD的分立封装发展规划
目前的封装阵容及开发中的封装。
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产品概要
SiC MOSFET 支持信息
评估板
Evaluation Board HB2637L-EVK-301
The evaluation board is configured in a half bridge set up and thus allows evaluations in different operations modes such as buck, boost, synchronous buck/boost and inverter operations. The board is equipped with two SiC MOSFETs(SCT4036KW7), isolated gate driver BM61S41RFV-C, isolated power supply required for the gate driver, LDO for 5V supply and easy to interface connectors for PWM signals.
EVK Simulatrion (ROHM Solution Simulator)
・P05CT4018KR-EVK-001 Double Pulse Test
・P04SCT4018KE-EVK-001 Double Pulse Test
・HB2637L-EVK-301 Double Pulse Test
我们对评估板进行了建模，并在在线模拟器中为SiC MOSFET准备了双脉冲测试环境。 可以通过模拟评估基于工作电压、栅极驱动电路、缓冲电路常数等的开关波形，并有助于减少实机评估的工时以及用于对寄生电感器的效果评估等。（需要注册MyROHM）
SiC MOSFET 支持信息
评估板
| Category | SiC Product | Image | Part No. | User Guide | Purchase Board | |
| SiC-MOS | Evaluation Board |
SCT4XXX series Trench(4th Generation) TO-247-N |  |
P04SCT4018KE-EVK-001 | 使用说明书 产品规格 |
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| SCT4XXX series Trench(4th Generation) TO-247-4L |  |
P05SCT4018KR-EVK-001 | 从网售平台购买 | |||
| SCT3XXX series Trench(3rd Generation) TO-247-4L |  |
P02SCT3040KR-EVK-001 | 使用说明书 产品规格书 |
从网售平台购买 | ||
Models ＆ Tools
仿真（需登录MyROHM）
ROHM Solution Simulator是在ROHM官网上运行的电子电路仿真工具。从部件选型和元器件单体验证等开发初期阶段到系统级的验证阶段，各种仿真工作都可以在Web上执行。ROHM提供的SiC元器件等功率元器件产品、驱动IC和电源IC等IC产品，都可以在接近实际环境的解决方案电路中快速简单的一并进行验证，从而可显著缩短应用开发周期。