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什么是IGBT?IGBT(绝缘栅双极晶体管)

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什么是IGBT(绝缘栅双极晶体管)?

IGBT是 "Insulated Gate Bipolar Transistor"的首字母缩写,也被称作绝缘栅双极晶体管。
IGBT被归类为功率半导体元器件晶体管领域。

功率半导体元器件的特点

除了IGBT外,功率半导体元器件(晶体管领域)的代表产品还有MOSFET、BIPOLAR等,它们主要被用作半导体开关。
根据其分别可支持的开关速度,BIPOLAR适用于中速开关,MOSFET则适用于高频领域。
IGBT是输入部为MOSFET结构、输出部为BIPOLAR结构的元器件,通过这两者的复合化,既是使用电子与空穴两种载体的双极元件,同时也是兼顾低饱和电压(与功率MOSFET的低导通电阻相当)和较快的开关特性的晶体管。
尽管其具有较快的开关特性,但仍比不上功率MOSFET,这是IGBT的弱点。

【功率元器件的基本结构与特点】
  MOSFET BIPOLAR IGBT
基本结构 MOSFET BIPOLAR IGBT
控制 栅极电压 基极电流 栅极电压
容许电流
开关
导通电阻
MOSFET
是指半导体元件的结构为Metal(金属)- Oxide(半导体氧化物)- Semiconductor(半导体)的三层结构的Field-Effect Transistor(场效应晶体管)。
BIPOLAR
是指使用了双极性元件,将称为p型和n型的两种半导体构成n-p-n及p-n-p结构的电流工作型晶体管。

IGBT至产品详细网页

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